| 講演名 | 2011-12-16 放電電流過渡分光法を用いた犠牲酸化処理された高純度半絶縁性4H-SiCの欠陥評価(シリコン関連材料の作製と評価) 西川 誠二, 岡田 亮太, 松浦 秀治, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 当研究室で提案している放電電流過渡分光法(DCTS:Discharge Current Transient Spectroscopy)を用いて高純度半絶縁性4H-SiCの欠陥評価を行ってきた.しかし,半導体内部以外(特に,表面)を定常的に流れる電流が解析に影響していると考えられるため,表面を犠牲酸化処理し,表面電流の低減を試みた.その結果,逆方向電圧100Vでの漏れ電流は約40%低減できた.このダイオードを用いて,313Kから428Kまでを5K間隔で過渡逆方向電流を測定し,DCTS法で解析した結果,6種類の欠陥が検出でき,それぞれの活性化エネルギーと捕獲断面積を求めることができた. |
| 抄録(英) | To determine the energy levels of intrinsic defects in high-purity semi-insulating 4H-SiC, we apply DCTS(Discharge Current Transient Spectroscopy) that is a graphical peak analysis method based on the transient reverse current of a Schottky barrier diode. However, these transient currents consisted of currents not only in the bulk, but also on the surface of the diode. Therefore, the diode was fabricated with the treatment of sacrificial oxidation. As a result, sacrificial oxidation could dramatically reduce the surface currents of diodes in high-purity semi-insulating 4H-SiC. Using this diode, transient reverse currents measured from 313 K to 428 K were analyzed by DCTS, and six types of intrinsic defects are detected in sacrificial-oxidized high-purity semi-insulating 4H-SiC. From the temperature dependence of the emission rate of each intrinsic defect, its activation energy and capture cross section are determined. |
| キーワード(和) | 放電電流過渡分光法 / 高純度半絶縁性4H-SiC / 犠牲酸化処理 / 真性欠陥 / 活性化エネルギー / 捕獲断面積 |
| キーワード(英) | Discharge Current Transient Spectroscopy / high-purity semi-insulating 4H-SiC / sacrificial oxidation / intrinsic defect / activation energy / capture cross section |
| 資料番号 | SDM2011-136 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
|---|---|
| 開催期間 | 2011/12/9(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 放電電流過渡分光法を用いた犠牲酸化処理された高純度半絶縁性4H-SiCの欠陥評価(シリコン関連材料の作製と評価) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Evaluation of Intrinsic Defects in Sacrificial Oxidized High-Purity Semi-Insulating 4H-SiC by Discharge Current Transient Spectroscopy |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 放電電流過渡分光法 / Discharge Current Transient Spectroscopy |
| キーワード(2)（和/英） | 高純度半絶縁性4H-SiC / high-purity semi-insulating 4H-SiC |
| キーワード(3)（和/英） | 犠牲酸化処理 / sacrificial oxidation |
| キーワード(4)（和/英） | 真性欠陥 / intrinsic defect |
| キーワード(5)（和/英） | 活性化エネルギー / activation energy |
| キーワード(6)（和/英） | 捕獲断面積 / capture cross section |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 西川 誠二 / Seiji NISHIKAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻 Osaka Electro-Communication University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 岡田 亮太 / Ryota OKADA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻 Osaka Electro-Communication University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 松浦 秀治 / Hideharu MATSUURA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪電気通信大学大学院工学研究科電子通信工学専攻 Osaka Electro-Communication University |
| 発表年月日 | 2011-12-16 |
| 資料番号 | SDM2011-136 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 357 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |