| 講演名 | 2011-12-15 3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向け4倍高速V_ 畑中 輝義, 竹内 健, |
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| 抄録(和) | 3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向けの電源回路として、10V～20Vを出力するワイドレンジ電圧生成システムを提案する。SSDの書き込み時に必要な電圧/負荷は、10V/1nF、20V/100pFなど電圧・負荷ともに広範囲である。本研究では、高電圧・低電圧NANDフラッシュプロセスとスタンダードCMOSプロセスを組み合わせることで、V_ |
| 抄録(英) | A wide output voltage range from 10 V to 20 V voltage generator system is proposed for 3D-SSDs. The circuits are fabricated with the smart mix and match of the standard CMOS, low voltage and high voltage NAND flash memory technologies. The measured rising time for V_ |
| キーワード(和) | ソリッド・ステート・ドライブ / NANDフラッシュメモリー / ブーストコンバーター |
| キーワード(英) | solid-state-drive / NAND flash memory / boost converter |
| 資料番号 | ICD2011-117 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2011/12/8(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向け4倍高速V_ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 4-Times Faster Rising V_ |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ソリッド・ステート・ドライブ / solid-state-drive |
| キーワード(2)（和/英） | NANDフラッシュメモリー / NAND flash memory |
| キーワード(3)（和/英） | ブーストコンバーター / boost converter |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 畑中 輝義 / Teruyoshi HATANAKA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京大学 The University of Tokyo |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 竹内 健 / Ken TAKEUCHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京大学 The University of Tokyo |
| 発表年月日 | 2011-12-15 |
| 資料番号 | ICD2011-117 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 352 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |