講演名 | 2011-12-15 3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向け4倍高速V_ 畑中 輝義, 竹内 健, |
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抄録(和) | 3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向けの電源回路として、10V~20Vを出力するワイドレンジ電圧生成システムを提案する。SSDの書き込み時に必要な電圧/負荷は、10V/1nF、20V/100pFなど電圧・負荷ともに広範囲である。本研究では、高電圧・低電圧NANDフラッシュプロセスとスタンダードCMOSプロセスを組み合わせることで、V_ |
抄録(英) | A wide output voltage range from 10 V to 20 V voltage generator system is proposed for 3D-SSDs. The circuits are fabricated with the smart mix and match of the standard CMOS, low voltage and high voltage NAND flash memory technologies. The measured rising time for V_ |
キーワード(和) | ソリッド・ステート・ドライブ / NANDフラッシュメモリー / ブーストコンバーター |
キーワード(英) | solid-state-drive / NAND flash memory / boost converter |
資料番号 | ICD2011-117 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | ICD |
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開催期間 | 2011/12/8(から1日開催) |
開催地(和) | |
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幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向け4倍高速V_ |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | 4-Times Faster Rising V_ |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | ソリッド・ステート・ドライブ / solid-state-drive |
キーワード(2)(和/英) | NANDフラッシュメモリー / NAND flash memory |
キーワード(3)(和/英) | ブーストコンバーター / boost converter |
第 1 著者 氏名(和/英) | 畑中 輝義 / Teruyoshi HATANAKA |
第 1 著者 所属(和/英) | 東京大学 The University of Tokyo |
第 2 著者 氏名(和/英) | 竹内 健 / Ken TAKEUCHI |
第 2 著者 所属(和/英) | 東京大学 The University of Tokyo |
発表年月日 | 2011-12-15 |
資料番号 | ICD2011-117 |
巻番号(vol) | vol.111 |
号番号(no) | 352 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |