| 講演名 | 2011-12-15 50nm抵抗変化型メモリにおける耐久性向上書き換え手法の研究(ポスター講演,ポスターセッション,学生・若手技術者育成のための研究会) 樋口 和英, 宮地 幸祐, 上口 光, 竹内 健, |
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| 抄録(和) | 抵抗変化型メモリは低消費電力かつスケーラビリティに優れ,CMOSプロセスとの親和性が高くサブ20nm不揮発性メモリの有力な候補である.50nm級の抵抗変化型メモリは高抵抗状態および低抵抗状態のばらつきが大きいため抵抗を制御するためのベリファイプログラミングが必要であることが測定から分かった.本報告では書き換え回数を向上させつつ最短のアクセス時間を同時に達成するための手法と測定結果からデバイスモデルを提案する. |
| 抄録(英) | Resistive memory is the promising candidate for sub-20nm nonvolatile memory owing to low switching current, high scalability, process compatibility with CMOS technologies, simple structure and high speed switching properties. Resistive memory requires a verify-programming that precisely controls the resistance because the resistive variations of high resistance state and low resistance state are large. This paper proposes a combination of turnback pulse voltage and width method which achieves 50-times higher endurance and shortest access time at the same time. |
| キーワード(和) | 抵抗変化型メモリ / ベリファイプログラミング |
| キーワード(英) | ReRAM / Verify-Programming |
| 資料番号 | ICD2011-116 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2011/12/8(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 50nm抵抗変化型メモリにおける耐久性向上書き換え手法の研究(ポスター講演,ポスターセッション,学生・若手技術者育成のための研究会) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Endurance enhancement programming method for 50nm resistive random access memory (ReRAM)(Poster Presentation) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 抵抗変化型メモリ / ReRAM |
| キーワード(2)（和/英） | ベリファイプログラミング / Verify-Programming |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 樋口 和英 / Kazuhide HIGUCHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻 Department of Electrical Engineering and Information Systems, Graduate School of Engineering, University of Tokyo |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 宮地 幸祐 / Kousuke MIYAJI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻 Department of Electrical Engineering and Information Systems, Graduate School of Engineering, University of Tokyo |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 上口 光 / Koh JOHGUCHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻 Department of Electrical Engineering and Information Systems, Graduate School of Engineering, University of Tokyo |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 竹内 健 / Ken TAKEUCHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻 Department of Electrical Engineering and Information Systems, Graduate School of Engineering, University of Tokyo |
| 発表年月日 | 2011-12-15 |
| 資料番号 | ICD2011-116 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 352 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |