| 講演名 | 2011-11-18 窒化アルミニウムの電子状態に対する歪みの効果(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般) 石井 良太, 金田 昭男, バナル ライアン, 船戸 充, 川上 養一, |
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| 抄録(和) | sp^3価電子軌道を構成しているウルツ鉱構造の半導体の価電子帯頂上は,結晶場相互作用によって既約表現がΓ_1とΓ_5の状態に分裂し,スピン軌道相互作用によってさらなる微細構造に分裂している.窒化アルミニウムの場合,結晶場相互作用が大きいことから,Γ_1とΓ_5の状態間の歪み相互作用はほぼ無視できる.したがって,Γ_1の状態に対する歪み効果は,2つの変形ポテンシャルで記述可能である.しかし,これまでの実験手法では,これらの値を独立に決定することは不可能であり,擬立方晶近似を仮定するのが常であった.本論文では,無極性面の窒化アルミニウムバルク基板に対して,結晶主軸に平行な方向および垂直な方向から一軸性応力を加えながら偏光反射測定を行うことで,擬立方晶近似を使用せずに2つの変形ポテンシャルを独立に同定したことを報告する. |
| 抄録(英) | The top of the valence band structure in Wurtzite crystals is split to the irreducible representation of Γ_1 and Γ_5 by the crystal-field interaction. In the case of AlN, the energetic deference between Γ_1 and Γ_5 by this interaction are so large that the strain-induced effects between them may be neglected. Therefore, the strain-induced effects on the eigenstate of Γ_1 can be described by two of the deformation potentials. In previous studies, these values have been experimentally determined in the framework of the quasicubic approximation. In this study, we determined two of the deformation potentials in AlN without the quasicubic approximation by reflectance spectroscopy under uniaxial stress. |
| キーワード(和) | 窒化アルミニウム / 一軸性応力 / 変形ポテンシャル / 擬立方晶近似 |
| キーワード(英) | Aluminum Nitride / Uniaxial Stress / Deformation potential / Quasicubic approximation |
| 資料番号 | ED2011-88,CPM2011-137,LQE2011-111 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2011/11/10(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 窒化アルミニウムの電子状態に対する歪みの効果(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Strain-Induced Effects on the Electronic Band Structure of AlN |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化アルミニウム / Aluminum Nitride |
| キーワード(2)（和/英） | 一軸性応力 / Uniaxial Stress |
| キーワード(3)（和/英） | 変形ポテンシャル / Deformation potential |
| キーワード(4)（和/英） | 擬立方晶近似 / Quasicubic approximation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 石井 良太 / Ryota ISHII |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科 Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 金田 昭男 / Akio KANETA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科 Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | バナル ライアン / Ryan BANAL |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科 Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 船戸 充 / Mitsuru FUNATO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科 Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 川上 養一 / Yoichi KAWAKAMI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科 Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 発表年月日 | 2011-11-18 |
| 資料番号 | ED2011-88,CPM2011-137,LQE2011-111 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 292 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |