| 講演名 | 2011-11-17 ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般) 西森 理人, 牧山 剛三, 多木 俊裕, 山田 敦史, 今西 健治, 吉川 俊英, 原 直紀, 渡部 慶二, |
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| 抄録(和) | 窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ(HEMT)は高出力・高効率なミリ波帯増幅器デバイスとして期待されている。今回我々はさらなるオン抵抗低減のためにSiイオン注入の検討を行った。n-GaN/i-AlN/n-GaN層の三層キャップを有するGaN-HEMTに対してイオン注入を行い、コンタクト抵抗を0.61Ωmmから0.09Ωmmまで低減することができた。さらにゲート長が0.12μmの短ゲートデバイスに対してイオン注入を行い、I-V特性を確認した。その結果、三層キャップ構造を用いることによりイオン注入後も電流コラプスを抑制することができ、良好なI-V特性を得られることがわかった。 |
| 抄録(英) | There are high expectations for a GaN high electron mobility transistor (GaN-HEMT) to serve as a key device for a high power and high efficiency millimeter-wave amplifier. This paper describes the Si ion implantation technology in order to reduce on-resistance of GaN-HEMT. Si ion was implanted into GaN-HEMT with n-GaN/i-AlN/n-GaN triple cap layer. The contact resistance was reduced from 0.61 Ωmm to 0.09 Ωmm. With n-GaN/i-AlN/n-GaN triple cap layer, current collapse of short-gate-length GaN-HEMT with the gate length of 0.12 μm could be suppressed, resulting in low on-resistance. |
| キーワード(和) | イオン注入 / オーミックコンタクト / ミリ波 / 短ゲート / 電流コラプス / 三層キャップ |
| キーワード(英) | Ion implantation / Ohmic contact / millimeter-wave / Short-gate-length / Current collapse / Triple cap layer |
| 資料番号 | ED2011-85,CPM2011-134,LQE2011-108 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2011/11/10(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Si Ion Implantated GaN-HEMT for Millimeter-Wave Applications |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | イオン注入 / Ion implantation |
| キーワード(2)（和/英） | オーミックコンタクト / Ohmic contact |
| キーワード(3)（和/英） | ミリ波 / millimeter-wave |
| キーワード(4)（和/英） | 短ゲート / Short-gate-length |
| キーワード(5)（和/英） | 電流コラプス / Current collapse |
| キーワード(6)（和/英） | 三層キャップ / Triple cap layer |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 西森 理人 / Masato Nishimori |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 牧山 剛三 / Kozo Makiyama |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 多木 俊裕 / Toshihiro Ohki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山田 敦史 / Atsushi Yamada |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 今西 健治 / Kenji Imanishi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 吉川 俊英 / Toshihide Kikkawa |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 原 直紀 / Naoki Hara |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 渡部 慶二 / Keiji Watanabe |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 発表年月日 | 2011-11-17 |
| 資料番号 | ED2011-85,CPM2011-134,LQE2011-108 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 292 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |