| 講演名 | 2011-11-17 エッチピット法によるAlNエピタキシャル膜中の貫通転位の評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般) 野村 拓也, 三宅 秀人, 平松 和政, 龍 祐樹, 桑原 崇彰, 桑野 範之, |
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| 抄録(和) | 高性能AlGaN系深紫外発光デバイスの実現のためには、AlNを基板として用いることが有望である.本研究ではエッチピット法を用いてAlNエピタキシャル膜中の貫通転位密度の評価を行った.KOHとNaOHの混合溶液によりウェットエッチングを行った結果、エッチピットの大きさにより大・中・小の3種類に分類できることが分かった.サファイア基板上に成長を行ったAlNに比べ、昇華法により作製されたAlN基板の貫通転位密度は非常に少なく、HVPE法による厚膜成長後も貫通転位密度の大幅な増加は見られなかった.三角ストライプ加工を行ったAlN/サファイア基板上へHVPE法により厚膜成長を行い、ファセット制御により貫通転位の伝搬を抑制することができた. |
| 抄録(英) | AlN is an attractive substrate for short-wavelength optoelectronics devices based on AlGaN. We have investigated threading dislocations (TDs) in epitaxial AlN films by etch-pit method. Epitaxial AlN films were etched by mixed acid solution (KOH+NaOH). The etch-pits were classified into 3 kinds of TD groups by those size. The TD density in AlN substrate grown by sublimation method was less than that of an epitaxial AlN on a sapphire, and did not increase after HVPE growth of the thick AlN on the sublimation-AlN substrate. Moreover, thick AlN films were grown on AlN/sapphire stripe seeds with triangular shape in cross section of the stripe pattern, and the TDs density on the surface of HVPE-grown films was reduced by the effect of facet control techniques. |
| キーワード(和) | AlN / HVPE / エッチピット法 / 貫通転位 |
| キーワード(英) | AlN / HVPE / etch-pit method / threading dislocations / facet control |
| 資料番号 | ED2011-75,CPM2011-124,LQE2011-98 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2011/11/10(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | エッチピット法によるAlNエピタキシャル膜中の貫通転位の評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Etch-pit method of threading dislocations in epitaxial AlN films |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlN / AlN |
| キーワード(2)（和/英） | HVPE / HVPE |
| キーワード(3)（和/英） | エッチピット法 / etch-pit method |
| キーワード(4)（和/英） | 貫通転位 / threading dislocations |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 野村 拓也 / Takuya NOMURA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三重大学大学院工学研究科 Department Mie University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 三宅 秀人 / Hideto MIYAKE |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三重大学大学院工学研究科 Department Mie University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 平松 和政 / Kazumasa HIRAMATSU |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三重大学大学院工学研究科 Department Mie University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 龍 祐樹 / Yuuki RYU |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 九州大学大学院総合理工学府 Department of Applied Science for Electronics and Materials, Kyushu University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 桑原 崇彰 / Takaaki KUWAHARA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 九州大学大学院総合理工学府 Department of Applied Science for Electronics and Materials, Kyushu University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 桑野 範之 / Noriyuki KUWANO |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 九州大学大学院総合理工学府:九州大学産学連携センター Department of Applied Science for Electronics and Materials, Kyushu University:Art, Science and Technology Center for Cooperative Research, Kyushu University |
| 発表年月日 | 2011-11-17 |
| 資料番号 | ED2011-75,CPM2011-124,LQE2011-98 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 292 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |