講演名 | 2011-11-29 NBTI回復現象を利用したマルチコアLSIの自己特性補償法(異種デバイス集積化/高密度実装技術,デザインガイア2011-VLSI設計の新しい大地-) 松本 高士, 牧野 絋明, 小林 和淑, 小野寺 秀俊, |
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抄録(和) | 近年のLSIの微細化により、信頼性の高いシステムを構築することはますます困難となってきている。主要な要因の1つとして、NBTI(Negative Bias Temperature Instability)として知られるトランジスタの経年劣化が挙げられる。本研究ではNBTIの回復現象を利用したマルチコアLSIの長寿命化手法について検討した。65nm CMOSによってNBTIの回復を評価した結果に基づく自己特性補償法について述べる。 |
抄録(英) | Designing reliable systrems has become more difficult in recent years. Negative-Bias-Temperature-Instability (NBTI) is one of the strongest reliability concerns for CMOS circuits. In this paper, we describe NBTI-Recovery-based multi-core LSI lifetime extension method. NBTI recovery is characterized by NBTI sensor fabricated in a 65 nm CMOS technology. |
キーワード(和) | ディペンダブルVLSI / CMOS / NBTI / マルチコア / 特性補償 |
キーワード(英) | dependable VLSI / CMOS / NBTI / multi-core / performance compensation |
資料番号 | CPM2011-160,ICD2011-92 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | ICD |
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開催期間 | 2011/11/21(から1日開催) |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | NBTI回復現象を利用したマルチコアLSIの自己特性補償法(異種デバイス集積化/高密度実装技術,デザインガイア2011-VLSI設計の新しい大地-) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Multi-core LSI Lifetime Extension by NBTI-Recovery-based Self-healing |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | ディペンダブルVLSI / dependable VLSI |
キーワード(2)(和/英) | CMOS / CMOS |
キーワード(3)(和/英) | NBTI / NBTI |
キーワード(4)(和/英) | マルチコア / multi-core |
キーワード(5)(和/英) | 特性補償 / performance compensation |
第 1 著者 氏名(和/英) | 松本 高士 / Takashi MATSUMOTO |
第 1 著者 所属(和/英) | 京都大学情報学研究科 Graduate School of Informatics, Kyoto University |
第 2 著者 氏名(和/英) | 牧野 絋明 / Hiroaki MAKINO |
第 2 著者 所属(和/英) | 京都大学情報学研究科 Graduate School of Informatics, Kyoto University |
第 3 著者 氏名(和/英) | 小林 和淑 / Kazutoshi KOBAYASHI |
第 3 著者 所属(和/英) | 京都工芸繊維大学工芸科学研究科:JST CREST Graduate School of Science and Technology, Kyoto Institute of Technology:JST CREST |
第 4 著者 氏名(和/英) | 小野寺 秀俊 / Hidetoshi ONODERA |
第 4 著者 所属(和/英) | 京都大学情報学研究科:JST CREST Graduate School of Informatics, Kyoto University:JST CREST |
発表年月日 | 2011-11-29 |
資料番号 | CPM2011-160,ICD2011-92 |
巻番号(vol) | vol.111 |
号番号(no) | 327 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 5 |
発行日 |