| 講演名 | 2011-11-17 透明ゲートAlGaN/GaN HEMTを用いた紫外線フォトディテクタ(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般) 成田 知隆, 分島 彰男, 江川 孝志, |
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| 抄録(和) | シリコン基板上に透明ゲートAlGaN/GaN HEMT(High Electron Mobility Transistor)を作製した。デバイス表面から紫外光及び短波可視光を照射し、DC特性及び紫外線フォトディテクタとしての特性を評価した。紫外光を照射したところ、顕著なドレイン電流の増加と閾値電圧の負方向へのシフトが発生した。これから透明ゲート下で励起が生じたことが確認された。ゲート電極をピンチオフ状態で動作させることにより暗電流を低減できた。照射光強度200μW/cm2及び波長360nm以下おいて3×10^5A/Wという高い受光感度を得られた。 |
| 抄録(英) | Transparent gate AlGaN/GaN HEMT(High Electron Mobility Transistor) on a Si substrate was fabricated. We estimated as characteristics of DC and UV detectors by UV and visible light irradiation from the surface side. A significant drain current increase and a negative threshold-voltage shift occurred by UV light irradiation. Thus photogenerated carriers under transparent gate electrode were observed. The gate electrode enabled the device to operate under pinch-off conditions, resulted in low dark current. A high responsivity of 3×10^5A/W at 200μW/cm2 under a wavelength of 360nm was obtained. |
| キーワード(和) | GaN / AlGaN / HEMT / 紫外線フォトディテクタ |
| キーワード(英) | GaN / AlGaN / HEMT / UV photodetectors |
| 資料番号 | ED2011-86,CPM2011-135,LQE2011-109 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2011/11/10(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 透明ゲートAlGaN/GaN HEMTを用いた紫外線フォトディテクタ(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Ultraviolet Photodetectors using Transparent Gate AlGaN/GaN HEMT |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(3)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(4)（和/英） | 紫外線フォトディテクタ / UV photodetectors |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 成田 知隆 / Tomotaka NARITA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター Research Center for Nano-Device and System, Nagoya Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 分島 彰男 / Akio WAKEJIMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター Research Center for Nano-Device and System, Nagoya Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 江川 孝志 / Takashi EGAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター Research Center for Nano-Device and System, Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2011-11-17 |
| 資料番号 | ED2011-86,CPM2011-135,LQE2011-109 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 290 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |