| 講演名 | 2011-11-17 分子線エピタキシ法による6H-SiC(0001)基板上へのAlN/GaN短周期超格子のコヒーレント成長(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般) 菊地 諒介, 奥村 宏典, 木本 恒暢, 須田 淳, |
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| 抄録(和) | 本研究室ではこれまで、SiC基板のステップ高さ制御、AlN層成長直前のGa先行照射を行い、窒素プラズマ点灯と同時に成長を開始することで、成長開始直後からのAlNのlayer-by-layer成長と貫通転位密度の低減を実現した。そこで、本研究ではこの高品質AlN成長プロセスを応用して、SiC基板上にAlN/GaN短周期超格子(SPSL)構造の成長を試みたSPSL層中のAlN層とGaN層の膜厚はそれぞれ12bilayer(BL)、2BLとしたAlN/GaN SPSL層のXRC半値幅は、(0002)面が34.2秒、(10-12)面が37.9秒と非常に優れた値であった。逆格子マッピング測定を行ったところ、AlN/GaN SPSL層がSiC基板に対してコヒーレントに成長していることが確認された。格子緩和していないために高品質の結晶が得られたと考えている。 |
| 抄録(英) | Recently, we have successfully reduced the threading dislocation density in AlN layer on SiC substrates to 10^8 cm^<-2> by controlling the step heights of the SiC substrates, Ga pre-deposition and avoiding unintentional active-nitrogen exposure prior to AlN growth. In this study, we report the growth of AlN/GaN short-period superlattice (SPSL) on SiC by applying the high-quality AlN growth process. We demonstrate coherent growth of AlN/GaN SPSL on SiC substrates. Thicknesses of AlN and GaN in the SPSL were 12 bilayer (BL) and 2 BL, respectively. The FWHM values of main peak for the AlN/GaN SPSL were 34.2 arcsec for the (0002) ω-scan and 37.9 arcsec for the (10-12) ω-scan. A RSM near (1 1 -2 12) reflection of 6H-SiC clearly indicates that AlN/GaN SPSL was coherently grown on 6H-SiC. The very small FHWM values reflect coherent growth of AlN/GaN SPSL on 6H-SiC substrate. |
| キーワード(和) | AlN / GaN / 短周期超格子 / 分子線エピタキシ法 / コヒーレント成長 |
| キーワード(英) | AlN / GaN / Short-period superlattice / Molecular-beam epitaxy / Coherent growth |
| 資料番号 | ED2011-73,CPM2011-122,LQE2011-96 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2011/11/10(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 分子線エピタキシ法による6H-SiC(0001)基板上へのAlN/GaN短周期超格子のコヒーレント成長(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | AlN/GaN Short-Period Superlattice Coherently Grown on 6H-SiC (0001) Substrates by Molecular-Beam Epitaxy |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlN / AlN |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | 短周期超格子 / Short-period superlattice |
| キーワード(4)（和/英） | 分子線エピタキシ法 / Molecular-beam epitaxy |
| キーワード(5)（和/英） | コヒーレント成長 / Coherent growth |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 菊地 諒介 / Ryosuke KIKUCHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 奥村 宏典 / Hironori OKUMURA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 木本 恒暢 / Tsunenobu KIMOTO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 須田 淳 / Jun SUDA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 発表年月日 | 2011-11-17 |
| 資料番号 | ED2011-73,CPM2011-122,LQE2011-96 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 290 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |