| 講演名 | 2011-11-28 異種材料・機能のマイクロ接合技術(招待講演,異種デバイス集積化/高密度実装技術,デザインガイア2011-VLSI設計の新しい大地-) 浅野 種正, |
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| 抄録(和) | 化合物半導体やMEMS等とシリコンCMOSの異種機能を積層して集積化するのに有効と思われるマイクロ接合電極を紹介する.その電極は,先鋭形状をもつバンプ電極である.先鋭形状の先端が加重により圧潰するという単純な機構ながら,低荷重・低ひずみ接合,10ミクロンまでの狭ピッチ配置,チップ当たり30万を超える多ピン接続,常温接合も可能な低温接合などの点で従来のマイクロ接合技術をはるかに凌駕する性能を提供できる.製造プロセスは従来とほぼ同様である.AuやCuで製造することが可能である.シリコン貫通電極との適合性も備える.これらの特長を活かした応用事例として,裏面照射型CMOSイメージセンサーと近赤外イメージセンサーを紹介する.また,有機樹脂との集積化の例として,フレキシブル樹脂フィルム上へのシリコンチップの搭載可能性について併せて紹介する. |
| 抄録(英) | A novel microjoining technology, which will greatly facilitate integration of heterogeneous integration of materials and functions with silicon CMOS, is introduced. The technology is built up with a cone-shaped micro-bump electrode. While the joining behavior is simple plastic deformation of the sharp end of the bump electrode, it provides superb properties for microjoining in terms of low strain, small pitch, connecting pin counts, and low temperature bonding including room temperature bonding. The bump can be made of Au and Cu using conventional electro-plating. The process can be integrated with through silicon via. Application of the technology to backside-illuminated CMOS image sensor and near infrared image sensor is described. Besides, bonding of LSI chips to circuit on a organic resin film is demonstrated for flexible electronics. |
| キーワード(和) | 三次元LSI / マイクロ接合 / マイクロバンプ / 貫通電極 / TSV |
| キーワード(英) | 3D LSI / microjoining / micro-bump / through silicon via / TSV |
| 資料番号 | CPM2011-149,ICD2011-81 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2011/11/21(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 異種材料・機能のマイクロ接合技術(招待講演,異種デバイス集積化/高密度実装技術,デザインガイア2011-VLSI設計の新しい大地-) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Microjoining Technology for Semiconductor Heterogeneoous Integration |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 三次元LSI / 3D LSI |
| キーワード(2)（和/英） | マイクロ接合 / microjoining |
| キーワード(3)（和/英） | マイクロバンプ / micro-bump |
| キーワード(4)（和/英） | 貫通電極 / through silicon via |
| キーワード(5)（和/英） | TSV / TSV |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 浅野 種正 / Tanemasa ASANO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 九州大学大学院システム情報科学研究院 Graduate School of Information Science and Electrical Engineering, Kyushu University |
| 発表年月日 | 2011-11-28 |
| 資料番号 | CPM2011-149,ICD2011-81 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 326 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |