講演名 2011-11-18
ELO-AlN上AlGaNの微細構造観察(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
井手 公康, 山本 準一, 岩谷 素顕, 竹内 哲也, 上山 智, 赤崎 勇, 天野 浩,
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抄録(和) AlGaN系紫外発光素子は、UV-AからUV-Cの全領域で数%を超える高性能LEDが実現されつつあり、今後広く実用化することが期待されている。現在の紫外LEDはAlNテンプレート上に作製されているが、その上に形成されたAlGaNには圧縮応力による欠陥が導入される。今後、さらなる紫外LEDの高効率化を実現するためには、この欠陥の挙動を正確に把握し、それを制御することが非常に重要である。本研究では、ELOを用いて作製した高品質AlN上にAlGaNを形成し、その転位の挙動に関して観察した。特に本報告ではAlGaNの膜厚依存性に関して詳細に検討した。膜厚を厚くすることで界面付近に発生する転位に違いが見られたので、その結果について報告する。
抄録(英) AlGaN-based ultraviolet light emitting device has been achieved as the high spec LED from UV-A to UV-C. It is widely expected to be commercialized in the future. Currently UV LED is being fabricated on AlN template but formed AlGaN on the AlN template introduces the defect by the AlGaN compressive stress. After time, to achieve high efficiency UV LED further, we know exactly the behavior of this defect and it is very important to control it. Tn this study, to form a high-quality AlGaN on AlN prepared using ELO. We observed about the behavior of dislocations in this sample. In particular this study, we discussed in detail about the thickness dependence of AlGaN. Since there were differences in the dislocation to occur near the interface by the film thickness,and report its results.
キーワード(和) AlGaN / AlN / TEM / 転位緩和
キーワード(英) AlGaN / AlN / TEM / dislocation relaxation
資料番号 ED2011-89,CPM2011-138,LQE2011-112
発行日

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 2011/11/10(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Component Parts and Materials (CPM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) ELO-AlN上AlGaNの微細構造観察(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Microstructural observation of AlGaN on ELO-AlN
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) AlGaN / AlGaN
キーワード(2)(和/英) AlN / AlN
キーワード(3)(和/英) TEM / TEM
キーワード(4)(和/英) 転位緩和 / dislocation relaxation
第 1 著者 氏名(和/英) 井手 公康 / Kimiyasu IDE
第 1 著者 所属(和/英) 名城大学大学院理工学研究科
Fac. Sci. & Eng., Meijo University
第 2 著者 氏名(和/英) 山本 準一 / Junichi YAMAMOTO
第 2 著者 所属(和/英) 名城大学大学院理工学研究科
Fac. Sci. & Eng., Meijo University
第 3 著者 氏名(和/英) 岩谷 素顕 / Motoaki IWAYA
第 3 著者 所属(和/英) 名城大学大学院理工学研究科
Fac. Sci. & Eng., Meijo University
第 4 著者 氏名(和/英) 竹内 哲也 / Tetsuya TAKEUCHI
第 4 著者 所属(和/英) 名城大学大学院理工学研究科
Fac. Sci. & Eng., Meijo University
第 5 著者 氏名(和/英) 上山 智 / Satoshi KAMIYAMA
第 5 著者 所属(和/英) 名城大学大学院理工学研究科
Fac. Sci. & Eng., Meijo University
第 6 著者 氏名(和/英) 赤崎 勇 / Isamu AKASAKI
第 6 著者 所属(和/英) 名城大学大学院理工学研究科:名古屋大学赤崎記念研究センター
Fac. Sci. & Eng., Meijo University:Akasaki Research Center, Nagoya University
第 7 著者 氏名(和/英) 天野 浩 / Hiroshi AMANO
第 7 著者 所属(和/英) 名古屋大学工学研究科:名古屋大学赤崎記念研究センター
Grad. Sch. of Eng., Nagoya University:Akasaki Research Center, Nagoya University
発表年月日 2011-11-18
資料番号 ED2011-89,CPM2011-138,LQE2011-112
巻番号(vol) vol.111
号番号(no) 291
ページ範囲 pp.-
ページ数 5
発行日