| 講演名 | 2011-11-17 促進障壁層を有するAlGaN/GaN E-mode HFETの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般) 前田 就彦, 廣木 正伸, 佐々木 智, 原田 裕一, |
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| 抄録(和) | リセスゲート構造を用いたE-mode用のAlGaN/GaNヘテロ構造FET(HFET)において、高電流化およびデバイス作製上有利なAlGaN障壁層構追(促進障壁層構造)を考案し、デバイスの作製と評価を行った。促進障壁層構造は、AlGaN障壁層中にAl組成のより高い薄層AlGaN層を挿入した障壁層構造で、挿入層によって電子濃度が増大されるという効果が確認された。促進障壁層を用いたリセスゲート構造において、リセス領域において挿入層が除去された構造を用いることにより、リセス領域と非リセス領域との電子濃度差が拡大され、高電流化およびデバイス作製上有利となる。このような促進障壁層構造を、E-mode動作に必要な電子の空乏化に有利なダブルヘテロ構造のGaNチャネルに対して適用したMIS構造(絶縁ゲート構造)のデバイスを作製したところ、しきい値+3.6V、ドレイン電流密度620mA/mmなる良好なE-mode動作が得られた。 |
| 抄録(英) | In recessed-gate AlGaN/GaN Heterostructure field-effect transistors (HFETs) for E-mode operation, enhanced-barrier structures have been proposed that are favorable for attaining a higher drain current density and advantageous for E-mode device fabrication. In the proposed enhanced-barrier structures, a thin AlGaN layer with a higher Al composition is inserted into the AlGaN barrier, with the inserted layer removed in the recessed region. This enlarges the difference in the electron density in recessed and non-recessed regions, since the electron density was confirmed to increase by the inserted layer. The enhanced-barrier structures were applied to a double-heterostructure GaN channel, which helps depletion of channel electrons and hence favorable for higher threshold voltage. The fabricated devices employing MIS (insulated-gate) structure exhibited an excellent E-mode operation with a threshold voltage of +3.6 V and a drain current density of 620 mA/mm. |
| キーワード(和) | GaNヘテロ構造FET / E-mode / リセスゲート構造 / 促進障壁層構造 / MIS構造 / ダブルヘテロ構造 |
| キーワード(英) | GaN HFET / E-mode / recessed-gate / enhanced-barrier structure / MIS structure / double-heterostructure channel |
| 資料番号 | ED2011-83,CPM2011-132,LQE2011-106 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2011/11/10(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 促進障壁層を有するAlGaN/GaN E-mode HFETの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of AlGaN/GaN E-mode HFETs with Enhanced Barrier Structures |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaNヘテロ構造FET / GaN HFET |
| キーワード(2)（和/英） | E-mode / E-mode |
| キーワード(3)（和/英） | リセスゲート構造 / recessed-gate |
| キーワード(4)（和/英） | 促進障壁層構造 / enhanced-barrier structure |
| キーワード(5)（和/英） | MIS構造 / MIS structure |
| キーワード(6)（和/英） | ダブルヘテロ構造 / double-heterostructure channel |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 前田 就彦 / Narihiko MAEDA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 廣木 正伸 / Masanobu HIOKI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 佐々木 智 / Satoshi SASAKI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所 NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 原田 裕一 / Yuichi HARADA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所 NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation |
| 発表年月日 | 2011-11-17 |
| 資料番号 | ED2011-83,CPM2011-132,LQE2011-106 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 291 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |