| 講演名 | 2011-11-17 GaN系MISダイオードにおける絶縁膜及び界面の評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般) 岩田 康宏, 久保 俊晴, 江川 孝志, |
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| 抄録(和) | MIS構造に用いる絶縁体としてAl_2O_3に着目し、ALDで成膜したAlO_xを絶縁膜としたMISダイオードを作製し、特性評価を行った。酸素プリカーサとして水とオゾンを用い、成膜後400℃,20minの条件でアニール処理を行ったXPS分析から、すべての条件で組成はx=2.0、バンドギャップは6.5～6.8eVであった。絶縁膜をつけることによりゲートリーク電流は低下した。また、オゾンを用いた場合に水を用いた場合よりも界面準位密度の低下が見られた。 |
| 抄録(英) | Al_2O_3 was focused as an insulator in GaN-based MIS structures. We fabricated MIS diodes using AlO_x as the insulator deposited by ALD and evaluated the characteristics. H_2O and O_3 were used as oxygen precursor, and post-deposition annealing was made at 400 ℃, 20 min. As for the composition x and the bandgap E_g, XPS analysis revealed that, x=2.0, and E_g was 6.5～6.8 eV in all conditions. Larger suppression of gate leak current and interface state density was obtained by using O_3 instead of H_2O. |
| キーワード(和) | GaN / MIS / Diode / ALD / insulator / interface |
| キーワード(英) | GaN / MIS / Diode / ALD / insulator / interface |
| 資料番号 | ED2011-80,CPM2011-129,LQE2011-103 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2011/11/10(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaN系MISダイオードにおける絶縁膜及び界面の評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of insulators and interfaces in GaN-based MIS-diodes |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | MIS / MIS |
| キーワード(3)（和/英） | Diode / Diode |
| キーワード(4)（和/英） | ALD / ALD |
| キーワード(5)（和/英） | insulator / insulator |
| キーワード(6)（和/英） | interface / interface |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 岩田 康宏 / Yasuhiro IWATA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター Research Center for Nano-Device System, Nagoya Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 久保 俊晴 / Toshiharu KUBO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター Research Center for Nano-Device System, Nagoya Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 江川 孝志 / Takashi EGAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター Research Center for Nano-Device System, Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2011-11-17 |
| 資料番号 | ED2011-80,CPM2011-129,LQE2011-103 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 291 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |