| 講演名 | 2011-11-17 硬さ制御に基づく高表面晶質、低転位GaN自立基板の実現(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般) 藤倉 序章, 大島 祐一, 吉田 丈洋, 目黒 健, 斉藤 俊也, |
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| 抄録(和) | 我々の開発したボイド形成剥離法(Void-Assisted Separation; VAS法)において、GaN自立基板成長でしばしば報告されるμm～mm寸法の表面欠陥(ピット、インバージョンドメイン等)を効果的に抑制することに成功した。これらの表面欠陥を無くした場合には、表面欠陥の存在による応力緩和の効果が失われるため、過大な応力の蓄積により成長中に新たな転位が発生する。このため、転位密度を10^6/cm^2台中盤よりも低くするのが困難となる。この限界を、材料固有の物性と思われていたGaN結晶の硬さ(塑性変形し難さ)の制御により克服し、表面欠陥の無いGaN自立基板においても転位密度を10^5/cm^2台にまで低減することに成功した。 |
| 抄録(英) | In the growth of freestanding GaN substrates using our void-assisted separation (VAS) method, we have effectively suppressed μm to mm-sized surface defects, which have been frequently reported in literatures. However, it was found that, without stress relaxation by such surface defects, reduction of dislocation density below mid-10^6/cm^2 became difficult due to generation of new dislocations through stress accumulation. This difficulty was overcome by controlling a seemingly intrinsic property, hardness, of the GaN crystal, leading to further reduction of the dislocation density down to 10^5/cm^2 range even in the growth of freestanding GaN substrates without the surface defects. |
| キーワード(和) | GaN自立基板 / 表面欠陥 / 転位密度 / ナノインデンテーション / 硬さ |
| キーワード(英) | freestanding GaN substrate / surface defect / dislocation density / nano-indentation / hardness |
| 資料番号 | ED2011-77,CPM2011-126,LQE2011-100 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2011/11/10(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 硬さ制御に基づく高表面晶質、低転位GaN自立基板の実現(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Realization of Freestanding GaN Substrates with High Surface Quality and Low Dislocation Density by Crystal Hardness Control |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN自立基板 / freestanding GaN substrate |
| キーワード(2)（和/英） | 表面欠陥 / surface defect |
| キーワード(3)（和/英） | 転位密度 / dislocation density |
| キーワード(4)（和/英） | ナノインデンテーション / nano-indentation |
| キーワード(5)（和/英） | 硬さ / hardness |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 藤倉 序章 / Hajime FUJIKURA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日立電線株式会社化合物半導体事業部 Compound Semiconductor Production Division, Hitachi-Cable, Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 大島 祐一 / Yuichi OSHIMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日立電線株式会社先端電子材料研究部:独立行政法人物質材料研究機構環境エネルギー材料部門 Advanced Electronic Materials Research Department, R&D Laboratory, Hitachi-Cable, Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 吉田 丈洋 / Takehiro YOSHIDA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日立電線株式会社先端電子材料研究部 Advanced Electronic Materials Research Department, R&D Laboratory, Hitachi-Cable, Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 目黒 健 / Takeshi MEGRO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日立電線株式会社化合物半導体事業部 Compound Semiconductor Production Division, Hitachi-Cable, Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 斉藤 俊也 / Toshiya SAITO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日立電線株式会社化合物半導体事業部 Compound Semiconductor Production Division, Hitachi-Cable, Ltd. |
| 発表年月日 | 2011-11-17 |
| 資料番号 | ED2011-77,CPM2011-126,LQE2011-100 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 291 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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