講演名 | 2011-11-17 分子線エピタキシ法による6H-SiC(0001)基板上へのAlN/GaN短周期超格子のコヒーレント成長(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般) 菊地 諒介, 奥村 宏典, 木本 恒暢, 須田 淳, |
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抄録(和) | 本研究室ではこれまで、SiC基板のステップ高さ制御、AlN層成長直前のGa先行照射を行い、窒素プラズマ点灯と同時に成長を開始することで、成長開始直後からのAlNのlayer-by-layer成長と貫通転位密度の低減を実現した。そこで、本研究ではこの高品質AlN成長プロセスを応用して、SiC基板上にAlN/GaN短周期超格子(SPSL)構造の成長を試みたSPSL層中のAlN層とGaN層の膜厚はそれぞれ12bilayer(BL)、2BLとしたAlN/GaN SPSL層のXRC半値幅は、(0002)面が34.2秒、(10-12)面が37.9秒と非常に優れた値であった。逆格子マッピング測定を行ったところ、AlN/GaN SPSL層がSiC基板に対してコヒーレントに成長していることが確認された。格子緩和していないために高品質の結晶が得られたと考えている。 |
抄録(英) | Recently, we have successfully reduced the threading dislocation density in AlN layer on SiC substrates to 10^8 cm^<-2> by controlling the step heights of the SiC substrates, Ga pre-deposition and avoiding unintentional active-nitrogen exposure prior to AlN growth. In this study, we report the growth of AlN/GaN short-period superlattice (SPSL) on SiC by applying the high-quality AlN growth process. We demonstrate coherent growth of AlN/GaN SPSL on SiC substrates. Thicknesses of AlN and GaN in the SPSL were 12 bilayer (BL) and 2 BL, respectively. The FWHM values of main peak for the AlN/GaN SPSL were 34.2 arcsec for the (0002) ω-scan and 37.9 arcsec for the (10-12) ω-scan. A RSM near (1 1 -2 12) reflection of 6H-SiC clearly indicates that AlN/GaN SPSL was coherently grown on 6H-SiC. The very small FHWM values reflect coherent growth of AlN/GaN SPSL on 6H-SiC substrate. |
キーワード(和) | AlN / GaN / 短周期超格子 / 分子線エピタキシ法 / コヒーレント成長 |
キーワード(英) | AlN / GaN / Short-period superlattice / Molecular-beam epitaxy / Coherent growth |
資料番号 | ED2011-73,CPM2011-122,LQE2011-96 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | CPM |
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開催期間 | 2011/11/10(から1日開催) |
開催地(和) | |
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幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 分子線エピタキシ法による6H-SiC(0001)基板上へのAlN/GaN短周期超格子のコヒーレント成長(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | AlN/GaN Short-Period Superlattice Coherently Grown on 6H-SiC (0001) Substrates by Molecular-Beam Epitaxy |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | AlN / AlN |
キーワード(2)(和/英) | GaN / GaN |
キーワード(3)(和/英) | 短周期超格子 / Short-period superlattice |
キーワード(4)(和/英) | 分子線エピタキシ法 / Molecular-beam epitaxy |
キーワード(5)(和/英) | コヒーレント成長 / Coherent growth |
第 1 著者 氏名(和/英) | 菊地 諒介 / Ryosuke KIKUCHI |
第 1 著者 所属(和/英) | 京都大学工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
第 2 著者 氏名(和/英) | 奥村 宏典 / Hironori OKUMURA |
第 2 著者 所属(和/英) | 京都大学工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
第 3 著者 氏名(和/英) | 木本 恒暢 / Tsunenobu KIMOTO |
第 3 著者 所属(和/英) | 京都大学工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
第 4 著者 氏名(和/英) | 須田 淳 / Jun SUDA |
第 4 著者 所属(和/英) | 京都大学工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
発表年月日 | 2011-11-17 |
資料番号 | ED2011-73,CPM2011-122,LQE2011-96 |
巻番号(vol) | vol.111 |
号番号(no) | 291 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 4 |
発行日 |