| 講演名 | 2011-10-21 トランスフォーマ段間結合技術を用いた低電力K帯トランシーバICの試作 白水 信弘, 中村 明博, 中村 宝弘, 増田 徹, |
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| 抄録(和) | K帯無線通信システム向け低電力トランシーバICを0.18μm SiGe BiCMOSを用いて試作した。段間接続や複数経路への分岐、差動信号の合成にトランスフォーマやバランを多用する受動型段間結合技術を用いた。本技術により段間において信号伝達特性を劣化することなく消費電力の低減が可能となる。本技術を適用したトランシーバICの受信器は利得=60dB、NF=5.8dB、局部発振器は1MHzオフセット周波数にて位相雑音=-113dBc/Hz、送信器は利得=38dB、出力線形性P1dB=4.3dBmの特性が得られ、その消費電力は受信モードで93mW、送信モードで123mWと低消費電力で動作を確認できた。 |
| 抄録(英) | A low-power fully-integrated transceiver for K-band wireless communication was developed using 0.18 μm SiGe BiCMOS technology. Transformers are used to stack circuit blocks directly and to connect signals in multiple paths, and a balun is used to combine differential signals efficiently. These passive-interstage circuit schemes make it possible to reduce power dissipation without degradation in performance. The receiver (Rx) used in these schemes exhibits gain of 60 dB and NF of 5.8 dB, the local oscillator exhibits phase noise of -113 dBc/Hz at 1-MHz offset, and the transmitter (Tx) exhibits gain of 38 dB and output P1dB of 4.3 dBm at operating frequency of 22.5 GHz. Moreover, the transceiver can operate with low-power consumption of 93 mW in Rx mode and 123 mW in Tx mode. |
| キーワード(和) | トランスフォーマ / 段間結合技術 / 低電力 / 低電圧 / トランシーバ / SiGe / K帯 / 準ミリ波 |
| キーワード(英) | transformer / passive-interstage / low-power / low-voltage / transceiver / SiGe / K-band / quasi-millimeter-wave |
| 資料番号 | CAS2011-50,NLP2011-77 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | NLP |
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| 開催期間 | 2011/10/13(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Nonlinear Problems (NLP) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | トランスフォーマ段間結合技術を用いた低電力K帯トランシーバICの試作 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low-Power Fully-Integrated K-band Transceiver using Transformer Direct-Stacking/Connecting and Balun Signal-Combining Techniques |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | トランスフォーマ / transformer |
| キーワード(2)（和/英） | 段間結合技術 / passive-interstage |
| キーワード(3)（和/英） | 低電力 / low-power |
| キーワード(4)（和/英） | 低電圧 / low-voltage |
| キーワード(5)（和/英） | トランシーバ / transceiver |
| キーワード(6)（和/英） | SiGe / SiGe |
| キーワード(7)（和/英） | K帯 / K-band |
| キーワード(8)（和/英） | 準ミリ波 / quasi-millimeter-wave |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 白水 信弘 / Nobuhiro SHIRAMIZU |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 株式会社日立製作所 中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 中村 明博 / Akihiro NAKAMURA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 株式会社日立製作所 中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 中村 宝弘 / Takahiro NAKAMURA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 株式会社日立製作所 中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 増田 徹 / Toru MASUDA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 株式会社日立製作所 中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 発表年月日 | 2011-10-21 |
| 資料番号 | CAS2011-50,NLP2011-77 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 243 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |