| 講演名 | 2011-10-14 ペンタセン多結晶薄膜における階層的結晶構造とキャリア輸送制限要因の関係(作製プロセス・電気的特性・デバイス,有機デバイス全般・一般) 松原 亮介, 野村 俊夫, 大橋 昇, 酒井 正俊, 工藤 一浩, 中村 雅一, |
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| 抄録(和) | SiO_2上に成長したペンタセン多結晶薄膜における結晶構造と電子帯構造の関係を明らかにするため、放射光を用いた微小角入射X線回折を用いて、結晶子サイズと結晶の不均一歪みを評価した。その結果、回折ピークの半値幅に対する不均一歪みの影響はほとんどなく、ピーク半値幅は結晶子サイズで決まっていることが明らかになった。結晶ドメインサイズを10倍以上変化させているにもかかわらず結晶子サイズは25-50nmとほぼ一定であった。また、結晶子サイズは我々のグループが報告したHOMOバンド端ゆらぎの空間的な周期および基板表面の凹凸周期とほぼ一致していた。この結果は、SiO_2表面の微小な凹凸によって結晶子サイズが決まっており、長距離にわたって発生するペンタセンの格子の乱れによってHOMOバンド端ゆらぎが生じていることを強く示唆している。 |
| 抄録(英) | To clarify relationship between crystallographic and electronic structures in pentacene polycrystalline films grown on SiO_2, in-plane crystallite size and random strain of the films were analyzed by grazing incidence X-ray diffraction (GIXD) using synchrotron radiation source. The results indicate that the diffraction peak width is not determined by random strain but by crystallite size. The crystallite size remains constant within the range of 25-50 nm even when the size of polycrystalline domain, or crystal grain, increases more than tenfold by elevating the growth temperature. The crystallite size agrees well with characteristic periods of both HOMO-band-edge fluctuations in pentacene films, which was reported in our previous paper, and surface corrugation of the substrate. These facts strongly suggest that roughness of the SiO_2 surface limits the crystallite size and the interruption of long-range order in pentacene lattice introduces the HOMO-band-edge fluctuation. |
| キーワード(和) | ペンタセン / AFMポテンショメトリ / 微小角入射X線回折 / 結晶子 / 電子帯構造 |
| キーワード(英) | Pentacene / AFM Potentiometry / Grazing Incidence X-ray Diffraction / Crystallite / Electronic Band Structure |
| 資料番号 | OME2011-55 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 2011/10/7(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ペンタセン多結晶薄膜における階層的結晶構造とキャリア輸送制限要因の関係(作製プロセス・電気的特性・デバイス,有機デバイス全般・一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Relationship between Crystal Order and Limiting Factors of Carrier Transport in Pentacene Polycrystalline film |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ペンタセン / Pentacene |
| キーワード(2)（和/英） | AFMポテンショメトリ / AFM Potentiometry |
| キーワード(3)（和/英） | 微小角入射X線回折 / Grazing Incidence X-ray Diffraction |
| キーワード(4)（和/英） | 結晶子 / Crystallite |
| キーワード(5)（和/英） | 電子帯構造 / Electronic Band Structure |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 松原 亮介 / Ryosuke MAYSUBARA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 野村 俊夫 / Toshio NOMURA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 千葉大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Chiba University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大橋 昇 / Noboru OHASHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 The National Institute of Advanced Industrial Science and Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 酒井 正俊 / Masatoshi SAKAI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 千葉大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Chiba University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 工藤 一浩 / Kazuhiro KUDO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 千葉大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Chiba University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 中村 雅一 / Masakazu Nakamura |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 千葉大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Chiba University |
| 発表年月日 | 2011-10-14 |
| 資料番号 | OME2011-55 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 236 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |