| 講演名 | 2011-10-14 (BEDT-TTF)(TCNQ)結晶FETにおける電界誘起熱刺激電流と誘電特性との相関(作製プロセス・電気的特性・デバイス,有機デバイス全般・一般) 花田 光聡, 酒井 正俊, 石黒 雅人, 松原 亮介, 山内 博, 中村 雅一, 工藤 一浩, |
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| 抄録(和) | これまで我々は、有機モット絶縁体(BEDT-TTF)(TCNQ)を活性層とした電界効果トランジスタ(FET)を作製し、誘電応答の温度依存性の測定から280K以下の温度領域で強誘電性を見出した。そこで(BEDT-TTF)(TCNQ)結晶FETにおいて、試料をゲート電圧により分極させた上で熱刺激電流(TSC)を測定し、この試料における自発分極の有無を検証した。その結果、ポーリングゲート電圧の極性の反転に対して対称で280K付近にピークを持つTSCが得られた。このことは、280K以下で自発分極が存在すること、及びこの温度を境に自発分極が解消することを示している。得られたTSCと誘電特性との間に見出された対応関係は280Kにおける強誘電転移の存在を支持する。 |
| 抄録(英) | We have measured thermally stimulated current (TSC) attributed to relaxation of spontaneous polarization induced by poling-gate-voltage in β'-(BEDT-TTF)(TCNQ) crystalline FET. A peak of TSC was observed at around 280K, which indicated abrupt relaxation of spontaneous polarization at 280K. Correlation between FE-TSC and dielectric properties observed in β'-(BEDT-TTF)(TCNQ) crystalline FET support the existence of ferroelectric phase transition at 280K. |
| キーワード(和) | 電荷移動錯体 / モット絶縁体 / 強誘電体 / 電荷秩序 / 熱刺激電流 |
| キーワード(英) | Charge transfer complex / Mott insulator / Ferroelectricity / Charge order / Thermally stimulated current |
| 資料番号 | OME2011-53 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 2011/10/7(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | (BEDT-TTF)(TCNQ)結晶FETにおける電界誘起熱刺激電流と誘電特性との相関(作製プロセス・電気的特性・デバイス,有機デバイス全般・一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Correlation between FE-TSC and dielectric properties observed in (BEDT-TTF)(TCNQ) crystalline FET |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 電荷移動錯体 / Charge transfer complex |
| キーワード(2)（和/英） | モット絶縁体 / Mott insulator |
| キーワード(3)（和/英） | 強誘電体 / Ferroelectricity |
| キーワード(4)（和/英） | 電荷秩序 / Charge order |
| キーワード(5)（和/英） | 熱刺激電流 / Thermally stimulated current |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 花田 光聡 / Mitsutoshi HANADA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 千葉大学大学院工学研究科 Department of Electrical and Electric Engineering, Chiba University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 酒井 正俊 / Masatoshi SAKAI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 千葉大学大学院工学研究科 Department of Electrical and Electric Engineering, Chiba University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 石黒 雅人 / Masato ISHIGURO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 千葉大学大学院工学研究科 Department of Electrical and Electric Engineering, Chiba University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 松原 亮介 / Ryosuke MATSUBARA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 山内 博 / Hiroshi YAMAUCHI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 千葉大学大学院工学研究科 Department of Electrical and Electric Engineering, Chiba University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 中村 雅一 / Masakazu NAKAMURA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 工藤 一浩 / Kazuhiro KUDO |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 千葉大学大学院工学研究科 Department of Electrical and Electric Engineering, Chiba University |
| 発表年月日 | 2011-10-14 |
| 資料番号 | OME2011-53 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 236 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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