| 講演名 | 2011-09-22 シリカナノ粒子を分散した塗布型有機トランジスタのデバイス特性(有機材料・一般) 吉川 真史, 永瀬 隆, 山崎 沙織, 小林 隆史, 道脇 良樹, 渡瀬 星児, 渡辺 充, 松川 公洋, 内藤 裕義, |
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| 抄録(和) | ボトムゲート構造の有機電界効果トランジスタ(OFET)におけるゲート絶縁膜の表面処理は電界効果移動度を大きく増加させるが、半導体溶液の濡れ性を著しく低下させるという実用化への課題がある。本研究では、高分子半導体として代表的なpoly(3-hexylthiophene)(P3HT)溶液へのシリカナノ粒子(SNPs)の分散による濡れ性の向上について報告する。P3HT溶液の疎水化処理した基板上への濡れ性は微量のSNPs分散により大きく改善され、また、P3HT膜の結晶化が促進されることが分かった。SNPsを分散したP3HT薄膜を用いたOFETにおいても、比較的良好なFET特性を示すことが分かった。 |
| 抄録(英) | The effect of the dispersion of silica nanoparticles (SNPs) on solution-processable organic field-effect transistors (OFETs) is investigated using a typical soluble semiconductor of regioregular poly(3-hexylthiophene) (P3HT). The dewetting of an organic solution of P3HT on hydrophobic substrates treated with octadecyltrichlorosilane (ODTS) is improved by the dispersion of SNPs that have phenyl surfactants, which allows fabricating uniform P3HT films on ODTS-treated substrates using spin-coating processes. In addition, the dispersion of SNPs enhances the crystallization of P3HT films. This in turn increases filed-effect mobility on non-treated substrates and compensates the degradation of mobility associated with dispersion of SNPs on ODTS-treated substrates. |
| キーワード(和) | 有機電界効果トランジスタ / 可溶性有機半導体 / シリカナノ粒子 / 濡れ性 |
| キーワード(英) | Organic field-effect transistors / soluble organic semiconductors / Silica nanoparticles / Wettability |
| 資料番号 | OME2011-47 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 2011/9/15(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | シリカナノ粒子を分散した塗布型有機トランジスタのデバイス特性(有機材料・一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Device characteristics of silica nanoparticles dispersed solution-processable organic transistors |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 有機電界効果トランジスタ / Organic field-effect transistors |
| キーワード(2)（和/英） | 可溶性有機半導体 / soluble organic semiconductors |
| キーワード(3)（和/英） | シリカナノ粒子 / Silica nanoparticles |
| キーワード(4)（和/英） | 濡れ性 / Wettability |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 吉川 真史 / Masashi YOSHIKAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪府立大学大学院工学研究科電子・数物系専攻 Department of Physics and Electronics, Osaka Prefecture University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 永瀬 隆 / Takashi NAGASE |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪府立大学大学院工学研究科電子・数物系専攻 Department of Physics and Electronics, Osaka Prefecture University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山崎 沙織 / Saori YAMAZAKI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪府立大学大学院工学研究科電子・数物系専攻 Department of Physics and Electronics, Osaka Prefecture University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 小林 隆史 / Takashi KOBAYASHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 大阪府立大学大学院工学研究科電子・数物系専攻 Department of Physics and Electronics, Osaka Prefecture University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 道脇 良樹 / Yoshiki MICHIWAKI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 扶桑化学工業株式会社 Fuso Chemical Co., Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 渡瀬 星児 / Seiji WATASE |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 大阪市立工業研究所 Osaka Municipal Technical Research Institute |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 渡辺 充 / Mitsuru WATANABE |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 大阪市立工業研究所 Osaka Municipal Technical Research Institute |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 松川 公洋 / Kimihiro MATSUKAWA |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 大阪市立工業研究所 Osaka Municipal Technical Research Institute |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 内藤 裕義 / Hiroyoshi NAITO |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 大阪府立大学大学院工学研究科電子・数物系専攻 Department of Physics and Electronics, Osaka Prefecture University |
| 発表年月日 | 2011-09-22 |
| 資料番号 | OME2011-47 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 212 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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