| 講演名 | 2011-10-20 ラジカル反応ベース絶縁膜形成技術における界面平坦化効果と絶縁膜破壊特性との関係(プロセス科学と新プロセス技術) 黒田 理人, 寺本 章伸, 李 翔, 諏訪 智之, 須川 成利, 大見 忠弘, |
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| 抄録(和) | ラジカル反応ベース絶縁膜形成プロセスは,熱酸化プロセスと比較して,極薄ゲート絶縁膜のリーク電流低減が可能,1/fノイズ低減が可能といった利点があることが分かっていたが,初期不良率の高さが課題であり解決が望まれていた.本報告では,原子オーダー平坦化Si表面とラジカル酸化プロセスとの組合せによる初期不良率の大幅な改善結果を示すと共に,改善したメカニズムをラジカル酸化による界面平坦化効果によって説明する. |
| 抄録(英) | Gate insulator films formed by radical reaction based insulator formation technology are known to exhibit lower leakage current across ultrathin gate insulator films and lower 1/f noise compared to thermal oxides. However, a high probability of gate insulator early breakdowns has been a big stumbling block to be solved. This paper reports on the suppression of early breakdown probability by the combination of radical oxidation and atomically flat Si surface, and its clarified mechanism of the improvement based on the interface flattening effect of the radical oxidation process. |
| キーワード(和) | ゲート絶縁膜 / 破壊電界 / 寿命 / 平坦性 |
| キーワード(英) | Gate insulator film / Breakdown field / Lifetime / Flatness |
| 資料番号 | SDM2011-101 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2011/10/13(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ラジカル反応ベース絶縁膜形成技術における界面平坦化効果と絶縁膜破壊特性との関係(プロセス科学と新プロセス技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | On the relation between interface flattening effect and insulator breakdown characteristic of radical reaction based insulator formation technology |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ゲート絶縁膜 / Gate insulator film |
| キーワード(2)（和/英） | 破壊電界 / Breakdown field |
| キーワード(3)（和/英） | 寿命 / Lifetime |
| キーワード(4)（和/英） | 平坦性 / Flatness |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 黒田 理人 / Rihito Kuroda |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 寺本 章伸 / Akinobu Teramoto |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北大学未来科学技術共同研究センター NICHe, Tohoku University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 李 翔 / Xiang Li |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 諏訪 智之 / Tomoyuki Suwa |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東北大学未来科学技術共同研究センター NICHe, Tohoku University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 須川 成利 / Shigetoshi Sugawa |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科:東北大学未来科学技術共同研究センター Graduate School of Engineering, Tohoku University:NICHe, Tohoku University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 大見 忠弘 / Tadahiro Ohmi |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科 NICHe, Tohoku University |
| 発表年月日 | 2011-10-20 |
| 資料番号 | SDM2011-101 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 249 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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