講演名 2011-09-16
エアロゾルデポジション法を用いた酸化物熱電厚膜の形成と熱電特性(光記録技術・電子材料,一般)
中村 雄一, 松藤 陽一郎, 井上 光輝,
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抄録(和) エアロゾルデポジション(AD)法によりCa_3Co_4O_<9+δ>系酸化物熱電膜を形成し,得られた膜の組織及び熱電特性の評価を行った.基板との熱膨張差の影響を調査した結果,約0.2%未満の熱歪みであれば,剥離やクラックを生じないことがわかった.吹き付ける微細粉の粒径を整えることにより約2μm/minの成膜速度が得られ,熱処理によりc-軸配向した熱電膜を得ることができた.得られた膜を900℃で1h熱処理した結果,700℃でゼーベック係数約S=170(μV/℃),導電率σ=110(S/cm)が得られ,従来の代表的なバルク試料と同等の特性を示した.よってAD法は厚膜状の熱電モジュール作製プロセスとして有望であることがわかった.
抄録(英) Ca_3Co_4O_<9+δ> (Co349) thermoelectric oxides thick film was deposited with aerosol deposition (AD) method. The effect of process parameters on the microstructure and thermoelectric properties were investigated. When the thermal strain was less than 0.2%, neither cracks nor detachment of the film from the substrate were observed. The c-axis oriented Co349 film was obtained after the annealing at 900℃, and the thermoelectric properties of S=170(μV/℃) and σ=110(S/cm) were achieved due to this dense c-axis oriented structure. This suggests that the AD process is an effective one to fabricate thick film based thermoelectric module.
キーワード(和) エアロゾルデポジション / 熱電材料 / c-軸配向 / ゼーベック係数 / 導電率
キーワード(英) Aerosol deposition / Thermoelectric materials / c-axis alignment / Seebeck coefficient / Electrical conductivity
資料番号 CPM2011-102
発行日

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 2011/9/9(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Component Parts and Materials (CPM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) エアロゾルデポジション法を用いた酸化物熱電厚膜の形成と熱電特性(光記録技術・電子材料,一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Thermoelectric properties of oxide thick films fabricated by aerosol deposition method
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) エアロゾルデポジション / Aerosol deposition
キーワード(2)(和/英) 熱電材料 / Thermoelectric materials
キーワード(3)(和/英) c-軸配向 / c-axis alignment
キーワード(4)(和/英) ゼーベック係数 / Seebeck coefficient
キーワード(5)(和/英) 導電率 / Electrical conductivity
第 1 著者 氏名(和/英) 中村 雄一 / Yuichi NAKAMURA
第 1 著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学工学研究科
Faculty of Engineering, Toyohashi University of Technology
第 2 著者 氏名(和/英) 松藤 陽一郎 / Youichiro MATSUFUJI
第 2 著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学工学研究科
Faculty of Engineering, Toyohashi University of Technology
第 3 著者 氏名(和/英) 井上 光輝 / Mitsuteru INOUE
第 3 著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学工学研究科
Faculty of Engineering, Toyohashi University of Technology
発表年月日 2011-09-16
資料番号 CPM2011-102
巻番号(vol) vol.111
号番号(no) 206
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日