| 講演名 | 2011-10-12 大規模SFQ回路のためのNb多層アドパンストプロセスの開発(超伝導エレクトロニクス基盤技術及び一般) 永沢 秀一, 日野出 憲治, 佐藤 哲朗, 日高 睦夫, 藤巻 朗, 赤池 宏之, 吉川 信行, 高木 一義, 高木 直史, |
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| 抄録(和) | 大規模SFQ回路の開発を目的として、臨界電流密度10kA/cm^2のNb多層アドバンストプロセス(ADP)を開発し、そのプロセスの信頼性向上に向けた研究を行っている。そのために、これまで、接合、抵抗、コンタクトなどの各種素子特性や欠陥評価をするためのプロセス評価チップと、実際のSFQ回路で欠陥評価をするためのシフトレジスタチップの測定評価の両面から、プロセスの評価を行い信頼性向上に努めてきた。今回は、この二つの測定結果の相関と共にシフトレジスタの測定結果の詳細を報告する。 |
| 抄録(英) | We have been developing a Nb multi-layer fabrication process for large-scale SFQ circuits. We have been evaluating both diagnostic chips and shift register chips to improve reliability of the fabrication process. The diagnostic chip was designed to evaluate the characteristics of the basic elements such as junctions, contacts, resisters, and wirings in addition to their defect evaluations. The shift register chip was designed to evaluate defects in real SFQ circuits and defects depending circuit size. We discuss a correlation of defects between the diagnostic chips and the shift register chips, and describe detail of the measurement results of the shift register chips to investigate the many possible causes of the problems and improving reliability in our fabrication process. |
| キーワード(和) | SFQ回路 / 超伝導集積回路 / 製造プロセス / 多層構造 / ニオブ / シフトレジスタ |
| キーワード(英) | SFQ Circuit / Superconducting Integrated Circuit / Fabrication Process / Multi-layer Structure / Niobium / Shift Register |
| 資料番号 | SCE2011-18 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SCE |
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| 開催期間 | 2011/10/5(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Superconductive Electronics (SCE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 大規模SFQ回路のためのNb多層アドパンストプロセスの開発(超伝導エレクトロニクス基盤技術及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Development of Nb Multi-layer Advanced Process for Large-scale SFQ circuits |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SFQ回路 / SFQ Circuit |
| キーワード(2)（和/英） | 超伝導集積回路 / Superconducting Integrated Circuit |
| キーワード(3)（和/英） | 製造プロセス / Fabrication Process |
| キーワード(4)（和/英） | 多層構造 / Multi-layer Structure |
| キーワード(5)（和/英） | ニオブ / Niobium |
| キーワード(6)（和/英） | シフトレジスタ / Shift Register |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 永沢 秀一 / Shuichi NAGASAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (財)国際超電導産業技術研究センター超伝導工学研究所:戦略的創造研究推進事業、科学技術振興機構 Superconductivity Research Laboratory, ISTEC:CREST-JST |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 日野出 憲治 / Kenji HINODE |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (財)国際超電導産業技術研究センター超伝導工学研究所:戦略的創造研究推進事業、科学技術振興機構 Superconductivity Research Laboratory, ISTEC:CREST-JST |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 佐藤 哲朗 / Tetsuro SATOH |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (財)国際超電導産業技術研究センター超伝導工学研究所:戦略的創造研究推進事業、科学技術振興機構 Superconductivity Research Laboratory, ISTEC:CREST-JST |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 日高 睦夫 / Mutsuo HIDAKA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (財)国際超電導産業技術研究センター超伝導工学研究所:戦略的創造研究推進事業、科学技術振興機構 Superconductivity Research Laboratory, ISTEC:CREST-JST |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 藤巻 朗 / Akira FUJIMAKI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科:戦略的創造研究推進事業、科学技術振興機構 Nagoya University:CREST-JST |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 赤池 宏之 / Hiroyuki AKAIKE |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科:戦略的創造研究推進事業、科学技術振興機構 Nagoya University:CREST-JST |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 吉川 信行 / Yoshiyuki YOSHIKAWA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 横浜国立大学大学院工学府:戦略的創造研究推進事業、科学技術振興機構 Yokohama National University:CREST-JST |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 高木 一義 / Kazuyoshi TAKAGI |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院情報学研究科:戦略的創造研究推進事業、科学技術振興機構 Kyoto University:CREST-JST |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 高木 直史 / Naofumi TAKAGI |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院情報学研究科:戦略的創造研究推進事業、科学技術振興機構 Kyoto University:CREST-JST |
| 発表年月日 | 2011-10-12 |
| 資料番号 | SCE2011-18 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 230 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |