講演名 2011-10-07
スロットリング型SPDTスイッチ回路の検討(シミュレーション技術,一般)
牛嶋 優, 西山 英輔, 相川 正義,
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抄録(和) 本研究は,両平面回路技術を用いたスロットリング型SPDTスイッチ回路を提案し,その特性を電磁界シミュレータで解析している.本スイッチ回路では,表面に入出力用とスタブ用のマイクロストリップ線路,裏面にリング型スロット線路を一層基板に構成し,そのスロット線路上にスイッチ用のダイオードを複数装荷している.この回路は,スロット線路をリング型にすることで,スロットリング内部導体の中心に制御電圧を容易に印加することが可能なり,回路の構成が非常に簡易になる特徴を持つ.さらに,このスイッチ回路は,平面アンテナ等との一体複合化も可能という特徴も有する.ここでは,電磁界シミュレータ(Agilent EMPro)により基本動作を確認し,その特性と評価を行っている.
抄録(英) In this paper, a slot-ring SPDT switch circuit using the Both-Sided MIC Technology is proposed. The proposed switch circuit consists of microstrip lines for input and output ports and stubs on the surface, and a two wavelength ring-slot line on the back side in a single layer substrate. Switching diodes are mounted on the slot line. The bias voltage can be easily applied to the inner conductor of slot-ring. It is possible to switch the output ports by the polarity of the bias voltage. Therefore, the bias circuit is a very simple structure. Moreover, it is possible to integrate the switch circuit with planar antennas due to realize it in the single layer. In this study, the basic behavior of the circuit is confirmed by the electromagnetic simulator (Agilent EMPro), and the experimental characteristics are also investigated in comparison with the simulation.
キーワード(和) SPDTスイッチ回路 / スロットリング / 両平面回路技術 / ダイオード
キーワード(英) SPDT switch circuit / Slot-ring / Both-Sided MIC Technology / Switching diode
資料番号 EST2011-81
発行日

研究会情報
研究会 EST
開催期間 2011/9/29(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electronic Simulation Technology (EST)
本文の言語 JPN
タイトル(和) スロットリング型SPDTスイッチ回路の検討(シミュレーション技術,一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Slot-Ring SPDT Switch Circuit using Both-Sided MIC Technology
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) SPDTスイッチ回路 / SPDT switch circuit
キーワード(2)(和/英) スロットリング / Slot-ring
キーワード(3)(和/英) 両平面回路技術 / Both-Sided MIC Technology
キーワード(4)(和/英) ダイオード / Switching diode
第 1 著者 氏名(和/英) 牛嶋 優 / Yu Ushijima
第 1 著者 所属(和/英) 佐賀大学大学院工学系研究科
Graduate School of Science and Engineering, Saga University
第 2 著者 氏名(和/英) 西山 英輔 / Eisuke Nishiyama
第 2 著者 所属(和/英) 佐賀大学大学院工学系研究科
Graduate School of Science and Engineering, Saga University
第 3 著者 氏名(和/英) 相川 正義 / Masayoshi Aikawa
第 3 著者 所属(和/英) 佐賀大学大学院工学系研究科
Graduate School of Science and Engineering, Saga University
発表年月日 2011-10-07
資料番号 EST2011-81
巻番号(vol) vol.111
号番号(no) 224
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日