| 講演名 | 2011-10-06 FDTD法による3.5GHz帯EBG基板上逆Fアンテナ解析とSAR評価(シミュレーション技術,一般) 盛田 慎也, 平田 晃正, |
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| 抄録(和) | 携帯電話等の無線機器の急速な普及により,電波に対する人体の安全性に対する関心が高まっている.携帯電話など,人体近傍からの電波ばく露に対する安全性の指標としては,局所10g平均のSAR(Specific Absorption Rate[W/kg]:比吸収率)の最大値が用いられる.このような背景から,局所SARを低減させるためのアンテナ設計がなされている.その例としてElectromagnetic Band-Gap(EBG)基板を用いたアンテナが報告されているが,周波数は2GHz帯のみであり,かつ詳細な検討はなされていなかった.本稿では,第4世代無線通信システムの利用が想定される3.5GHz帯においてEBG構造の寸法が小さくなることに注目し,EBG基板上逆Fアンテナによる人体頭部のSARをFDTD解析した.損失誘電体から構成される多層直方体モデルにおいて,提案するアンテナによる局所SARのピーク値は,EBG構造を用いていない場合に比べ34%低減されることがわかった.また,詳細な人体モデルにおいても,SARが同程度低減されることが確認された. | |
| 抄録(英) | Much attention has been paid to the human safety against electromagnetic (EM) wave exposure from mobile handsets, because they are used in close proximity of the human head. Safety guidelines for EM wave exposures have been established by international standardization bodies. The present study investigates the performance of a planar inverted F antenna (PIFA) on an electromagnetic band-gap (EBG) substrate to realize a low specific absorption rate (SAR) antenna. The frequency band is 3.5 GHz, which will be assigned for 4^ | generation mobile communications. The size of EBG substrate is comparable to a wavelength, and thus can be small enough for a handset. The PIFA above the EBG substrate was found to reduce local SAR in a cubic head model by 34% as compared to that without EBG structure. |
| キーワード(和) | 比吸収率(SAR) / 電磁バンドギャップ(EBG)構造 / 携帯端末 | |
| キーワード(英) | specific absorption (SAR) / electromagnetic band-gap (EBG) structure / handset terminals | |
| 資料番号 | EST2011-66 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EST |
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| 開催期間 | 2011/9/29(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electronic Simulation Technology (EST) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | FDTD法による3.5GHz帯EBG基板上逆Fアンテナ解析とSAR評価(シミュレーション技術,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | FDTD Evaluation of Radiation and SAR Characteristics for 3.5-GHz PIFA above EBG Substrate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 比吸収率(SAR) / specific absorption (SAR) |
| キーワード(2)（和/英） | 電磁バンドギャップ(EBG)構造 / electromagnetic band-gap (EBG) structure |
| キーワード(3)（和/英） | 携帯端末 / handset terminals |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 盛田 慎也 / Shinya MORITA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学情報工学専攻 Nagoya Institution of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 平田 晃正 / Akimasa HIRATA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学情報工学専攻 Nagoya Institution of Technology |
| 発表年月日 | 2011-10-06 |
| 資料番号 | EST2011-66 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 224 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |