講演名 2011-07-21
対称性を有する回路のオンウェーハ測定用GSGパッド励振部の電磁界シミュレーションモデリングの一検討(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
平野 拓一, 岡田 健一, 広川 二郎, 安藤 真,
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抄録(和) オンチップアナログRF回路のオンウェーハ測定ではプローブをパッドに当てて励振する。このような構造の電磁界シミュレーションを行うためには、パッド部を含めた電磁界モデリングが必要となる。本稿では対称性を有する回路のオンウェーハ測定用GSGパッド励振部の電磁界シミュレーションモデリングについて検討する。今回検討する対称性を有する被測定回路は左右のパッド中心を結ぶ線を含む垂直面に関して対称な構造をしていると仮定する。励振部はパッドのグランド-シグナル間電圧源励振モデルを用いた。パッド部を含めて、電磁界解析結果は測定結果とよく一致した。電磁界シミュレーションでプローブの位置ずれの影響を検討し、影響は非常に小さいことがわかった。
抄録(英) On-chip analog RF circuits are measured using GSG probes by contacting them onto pads. Electromagnetic simulation modeling including pads is sometimes necessary. Electromagnetic simulation modeling for excitations using GSG pads with symmetric circuit is investigated in this report. Excitation is modeled by voltage source between the ground and signal pads. Simulated results agreed very well with the measured ones. It is obtained from the simulated result that the effect of misalignment of probes is negligible.
キーワード(和) 電磁界シミュレーションモデリング / GSGプローブ / パッド / オンウェーハ測定 / ミリ波 / CMOS / 対称
キーワード(英) Electromagnetic Simulation Modeling / GSG Probe / Pad / On-Wafer Measurement / Millimeter-Wave / CMOS / Symmetric
資料番号 MW2011-52,OPE2011-39,EST2011-38,MWP2011-20
発行日

研究会情報
研究会 MWP
開催期間 2011/7/14(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Microwave and Millimeter-wave Photonics (MWP)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 対称性を有する回路のオンウェーハ測定用GSGパッド励振部の電磁界シミュレーションモデリングの一検討(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) A Study of EM Simulation Modeling for Excitations using GSG Pads with Symmetric Circuit in On-Wafer Measurement
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 電磁界シミュレーションモデリング / Electromagnetic Simulation Modeling
キーワード(2)(和/英) GSGプローブ / GSG Probe
キーワード(3)(和/英) パッド / Pad
キーワード(4)(和/英) オンウェーハ測定 / On-Wafer Measurement
キーワード(5)(和/英) ミリ波 / Millimeter-Wave
キーワード(6)(和/英) CMOS / CMOS
キーワード(7)(和/英) 対称 / Symmetric
第 1 著者 氏名(和/英) 平野 拓一 / Takuichi HIRANO
第 1 著者 所属(和/英) 東京工業大学理工学研究科
Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology
第 2 著者 氏名(和/英) 岡田 健一 / Kenichi OKADA
第 2 著者 所属(和/英) 東京工業大学理工学研究科
Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology
第 3 著者 氏名(和/英) 広川 二郎 / Jiro HIROKAWA
第 3 著者 所属(和/英) 東京工業大学理工学研究科
Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology
第 4 著者 氏名(和/英) 安藤 真 / Makoto ANDO
第 4 著者 所属(和/英) 東京工業大学理工学研究科
Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology
発表年月日 2011-07-21
資料番号 MW2011-52,OPE2011-39,EST2011-38,MWP2011-20
巻番号(vol) vol.111
号番号(no) 150
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日