| 講演名 | 2011-08-26 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般) 高田 幹, 田中 有, 松本 武, 近藤 勇人, 持田 励雄, 前多 泰成, 山口 正臣, 影山 健生, 武政 敬三, 西 研一, 中田 義昭, 山本 剛之, 菅原 充, 荒川 泰彦, |
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| 抄録(和) | 光アクセス系で導入が進められている10G-EPONなどの次世代10ギガビット級PON (Passive Optical Network)システムにおける上り用光源への適用に向けて,波長1.27μm帯量子ドットDFBレーザの研究開発を行っている.高密度量子ドットの適用による高利得化,及び共振器長の調整によって光出力の向上を図り,-10℃から85℃において,単一モード発振での温度安定な電流-光出力特性と,+4.5dBmと高いファイバ光出力条件での10.3Gb/s直接変調動作を実現した. |
| 抄録(英) | 1.27-μm high-density quantum-dot (QD) DFB lasers for access network applications such as 10G-EPON are presented. Fabricated QD DFB lasers show temperature-stable light-current characteristics with stable single-mode oscillation. Furthermore, owing to the high optical gain of QD active layers and long cavity design, 10.3-Gb/s operations with a high averaged output power of + 4.5 dBm are demonstrated in the temperature range of-10℃ to 85℃. |
| キーワード(和) | 量子ドット / distributed-feedback (DFB)レーザ / 直接変調 / 10G-EPON / XG-PON |
| キーワード(英) | quantum dot / distributed-feedback (DFB) laser / direct modulation / 10G-EPON / XG-PON |
| 資料番号 | EMD2011-53,CPM2011-97,OPE2011-88,LQE2011-51 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2011/8/18(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Research and Development of 1.27-μm High-Density Quantum-Dot DFB Lasers |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 量子ドット / quantum dot |
| キーワード(2)（和/英） | distributed-feedback (DFB)レーザ / distributed-feedback (DFB) laser |
| キーワード(3)（和/英） | 直接変調 / direct modulation |
| キーワード(4)（和/英） | 10G-EPON / 10G-EPON |
| キーワード(5)（和/英） | XG-PON / XG-PON |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 高田 幹 / Kan TAKADA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構 Institute for Nano Quantum Information Electronics, The University of Tokyo |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 田中 有 / Yu TANAKA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所:(株)QDレーザ Fujitsu Laboratories Ltd.:QD Laser, Inc. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 松本 武 / Takeshi MATSUMOTO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 近藤 勇人 / Hayato KONDO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)QDレーザ QD Laser, Inc. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 持田 励雄 / Reio MOCHIDA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | (株)QDレーザ QD Laser, Inc. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 前多 泰成 / Yasunari MAEDA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | (株)QDレーザ QD Laser, Inc. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 山口 正臣 / Masaomi YAMAGUCHI |
| 第 7 著者 所属（和/英） | (株)QDレーザ QD Laser, Inc. |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 影山 健生 / Takeo KAGEYAMA |
| 第 8 著者 所属（和/英） | (株)QDレーザ QD Laser, Inc. |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 武政 敬三 / Keizo TAKEMASA |
| 第 9 著者 所属（和/英） | (株)QDレーザ QD Laser, Inc. |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 西 研一 / Kenichi NISHI |
| 第 10 著者 所属（和/英） | (株)QDレーザ QD Laser, Inc. |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 中田 義昭 / Yoshiaki NAKATA |
| 第 11 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所:(株)QDレーザ Fujitsu Laboratories Ltd.:QD Laser, Inc. |
| 第 12 著者 氏名（和/英） | 山本 剛之 / Tsuyoshi YAMAMOTO |
| 第 12 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所:(株)QDレーザ Fujitsu Laboratories Ltd.:QD Laser, Inc. |
| 第 13 著者 氏名（和/英） | 菅原 充 / Mitsuru SUGAWARA |
| 第 13 著者 所属（和/英） | (株)QDレーザ QD Laser, Inc. |
| 第 14 著者 氏名（和/英） | 荒川 泰彦 / Yasuhiko ARAKAWA |
| 第 14 著者 所属（和/英） | 東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東京大学生産技術研究所 Institute for Nano Quantum Information Electronics, The University of Tokyo:Institute of Industrial Science, The University of Tokyo |
| 発表年月日 | 2011-08-26 |
| 資料番号 | EMD2011-53,CPM2011-97,OPE2011-88,LQE2011-51 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 186 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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