| 講演名 | 2011/8/18 極低電力ロジックデバイス技術の現状と展望(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) 井田 次郎, |
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| 抄録(和) | ばらまき型センサネットワーク、埋め込み医療デバイスなど、電池レスが必要な極低電力応用が、エネルギー・ハーベスティングの進展で現実味を帯びてきた。そこで要求される集積回路の基本ロジックデバイスについて、必要となるトランジスタ性能の仕様設定の一例を挙げ、デバイスとしてオフ電流(Ioff,)、Subthreshold Swing(S値)を小さくする重要性を再考した。この応用に向け、バルクトランジスタ、FD(Fully Depleted)-SOIトランジスタの現状、さらに最近注目されている理論特性を超える急峻なS値を持つデバイスの研究状況をレビューした。最後に、I-MOSの一種であるフローティングボディー効果を使うSOI構造トランジスタでのS値のデータを紹介した。 |
| 抄録(英) | Ultra Low Power Application of Sensor network, or, implanted medical devices where battery less, ultimately, is needed, will be in reality with expanding research of energy harvestings. Re-consideration of device specification on logic transistor in VLSI for those applications reveals again the need of reduction of the off current and the subthreshold swing of the transistors. For those applications, status of Bulk transistor, FD-SOI transistor and the super steep cut off transistor which S-value is over the theoretical limit and which research papers are increased, are reviewed. Finally, some data of the steep S-value obtained by floating body effect in SOI transistor which is one of I-MOS are introduced. |
| キーワード(和) | 極低電力 / センサネットワーク / FD-SOI / Tunnel FET(TFET) / Impact Ionization MOS(I-MOS) |
| キーワード(英) | Ultra Low Power / Senser Network / FD-SOI / Tunnel FET / Impact Ionization MOS |
| 資料番号 | ICD2011-54,SDM2011-86 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2011/8/18(から1日開催) |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 極低電力ロジックデバイス技術の現状と展望(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Status and Prospect of Ultra Low Power Logic Devices |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 極低電力 / Ultra Low Power |
| キーワード(2)（和/英） | センサネットワーク / Senser Network |
| キーワード(3)（和/英） | FD-SOI / FD-SOI |
| キーワード(4)（和/英） | Tunnel FET(TFET) / Tunnel FET |
| キーワード(5)（和/英） | Impact Ionization MOS(I-MOS) / Impact Ionization MOS |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 井田 次郎 / Jiro Ida |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学工学部電気系電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, College of Engineering Kanazawa Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2011/8/18 |
| 資料番号 | ICD2011-54,SDM2011-86 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 188 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |