| 講演名 | 2011/8/18 低コストと高速データ転送を実現するポリSi MOSトランジスタ駆動の相変化メモリ(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) 笹子 佳孝, 木下 勝治, 峯邑 浩行, 安齋 由美子, 田井 光春, 黒土 健三, 森田 精一, 高橋 俊和, 高濱 高, 森本 忠雄, 峰 利之, 島 明生, 小林 孝, |
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| 抄録(和) | ポリシリコントランジスタ駆動の相変化メモリを作製した。チャネルシリコン上に相変化材料を直接成膜したメモリセル構造によって、従来の相変化メモリと比較してリセット電流を45μAまで低減できた。開発した相変化メモリはポリシリコントランジスタ駆動なので3次元積層が可能であり、リセット電流が低いため並列書込みによるデータ転送速度向上に適している。メモリセルごとのコンタクト孔が無いセル構造なのでセルサイズを4F^2に縮小できる上、必要なプロセス工程数も少ないので低コスト化に適している。開発した3次元積層可能な相変化メモリによって低ビットコスト化とギガバイト/秒の高速データ転送が実現可能になる。 |
| 抄録(英) | A phase-change memory (PCM) driven by poly-Si MOS transistors was fabricated. The thin phase-change-material layer deposited directly on the channel silicon layer in the PCM enables low-current reset operation (45μA) compared to the conventional memory structure. This memory-cell configuration enables both a poly-Si MOS-driven stackable memory array and large degree programming parallelization. A con-tactless simple cell structure makes it possible to reduce the cell size to 4F2 and the number of process steps. Low cost and gigabyte-per-second programming throughput are thus made possible by this stackable phase-change memory. |
| キーワード(和) | 相変化メモリ / ポリシリコントランジスタ / 積層可能 |
| キーワード(英) | phase-change memory / poly-Si MOS transistor / stackable |
| 資料番号 | ICD2011-53,SDM2011-85 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2011/8/18(から1日開催) |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 低コストと高速データ転送を実現するポリSi MOSトランジスタ駆動の相変化メモリ(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Phase-change memory driven by poly-Si MOS transistor with low cost and high-programming throughput |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 相変化メモリ / phase-change memory |
| キーワード(2)（和/英） | ポリシリコントランジスタ / poly-Si MOS transistor |
| キーワード(3)（和/英） | 積層可能 / stackable |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 笹子 佳孝 / Yoshitaka SASAGO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 木下 勝治 / Masaharu KINOSHITA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 峯邑 浩行 / Hiroyuki MINEMURA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 安齋 由美子 / Yumiko ANZAI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 田井 光春 / Mitsuharu TAI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 黒土 健三 / Kenzo Kurotsuchi |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 森田 精一 / Seiichi MORITA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 高橋 俊和 / Toshikazu TAKAHASHI |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 高濱 高 / Takashi TAKAHAMA |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 森本 忠雄 / Tadao MORIMOTO |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 峰 利之 / Toshiyuki MINE |
| 第 11 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 12 著者 氏名（和/英） | 島 明生 / Akio SHIMA |
| 第 12 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 13 著者 氏名（和/英） | 小林 孝 / Takashi KOBAYASHI |
| 第 13 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 発表年月日 | 2011/8/18 |
| 資料番号 | ICD2011-53,SDM2011-85 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 188 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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