| 講演名 | 2011/8/18 Takeuchiプロットを用いたHigh-k/Metal-Gate MOSFETのばらつき評価(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) 水谷 朋子, / 西田 彰男, 竹内 潔, 稲葉 聡, 蒲原 史朗, 寺田 和夫, 最上 徹, 平本 俊郎, |
|
|---|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ | |
| 抄録(和) | High-k/Metal-Gate(HKMG)MOSFETのV_ | ばらつきをTakeuchiプロットを用いて評価し,従来のSiON絶縁膜/Poly Si Gate(SiON)MOSFETと比較した.Takeuchiプロットに必要なパラメータ等はC-V測定から求めた.その結果,HKMG MOSFETでは,離散不純物揺らぎ(RDF)によるばらつきは確かに抑制されているものの,他の要因に起因する特性ばらつきが大きいことが明らかとなった.TakeuchiプロットはSiON MOSFETのみでなく,HKMG MOSFETに対しても特性ばらつきの強力な評価手法である. |
| 抄録(英) | VTH variability in high-k/metal-gate (HKMG) MOSFETs are evaluated using Takeuchi plot and compared with that in SiON MOSFETs for the first time. Parameters needed for Takeuchi plot is extracted from C-V measurement. It is found that, although VTH variability caused by random dopant fluctuation (RDF) is well suppressed, effects by the other variability causes are larger in HKMG MOSFETs. Takeuchi plot is a powerful tool to study variability origins in not only conventional SiON MOSFETs but also HKMG MOSFETs. | |
| キーワード(和) | Takeuchi Plot / Pelgrom Plot / MOSFET / High-k / Metal-Gate | |
| キーワード(英) | Takeuchi Plot / Pelgrom Plot / MOSFET / High-k / Metal-Gate | |
| 資料番号 | ICD2011-51,SDM2011-83 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
|---|---|
| 開催期間 | 2011/8/18(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Takeuchiプロットを用いたHigh-k/Metal-Gate MOSFETのばらつき評価(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Evaluation of Variability in High-k/Metal-Gate MOSFET using Takeuchi Plot |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Takeuchi Plot / Takeuchi Plot |
| キーワード(2)（和/英） | Pelgrom Plot / Pelgrom Plot |
| キーワード(3)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(4)（和/英） | High-k / High-k |
| キーワード(5)（和/英） | Metal-Gate / Metal-Gate |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 水谷 朋子 / Tomoko MIZUTANI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, University of Tokyo |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | / 西田 彰男 / Anil KUMAR |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, University of Tokyo |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 竹内 潔 / Akio NISHIDA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | / MIRAI-Selete |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 稲葉 聡 / Kiyoshi TAKEUCHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | / MIRAI-Selete |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 蒲原 史朗 / Satoshi INABA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 広島市立大学 MIRAI-Selete |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 寺田 和夫 / Shiro KAMOHARA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | / 東京大学生産技術研究所 MIRAI-Selete |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 最上 徹 / Kazuo TERADA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | Hiroshima City University |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 平本 俊郎 / Tohru MOGAMI |
| 第 8 著者 所属（和/英） | MIRAI-Selete |
| 発表年月日 | 2011/8/18 |
| 資料番号 | ICD2011-51,SDM2011-83 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 188 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |