| 講演名 | 2011/8/18 強誘電体メモリ(FeRAM)の技術動向 : ～2010とこれから(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) 川嶋 将一郎, |
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| 抄録(和) | 強誘電体は自発分極をもちこの方向を0と1の記憶に用いた不揮発性メモリがFeRAMである。強誘電体の例としてPZT(チタン酸ジルコニウム鉛)の構造、温度特性、劣化要因などをレビューしたのち、実際の各社のセル、回路アーキ等を概観する。なかなかドリームメモリとして成り立っていない点も理解していただき、パネル討論の導入部分の役割とする。 |
| 抄録(英) | Ferroelectric materials show spontaneous polarization; FeRAM utilizes the positive and negative polarization direction corresponding to '1' and '0' states for stored data. After reviewing fundamental structure, property of temperature and degradation in referring PZT (Pb(Zr,Ti)O3), proposed actual cell structures and the memory architecture by many activity will be described. This paper touches some challenges on the way to a dream memory and serves an introduction to the low power panel discussion later. |
| キーワード(和) | 強誘電体メモリ / 強誘電体メモリセル / PZT |
| キーワード(英) | Ferroelectric / FeRAM / FeRAM-Cell / PZT |
| 資料番号 | ICD2011-44,SDM2011-76 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2011/8/18(から1日開催) |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 強誘電体メモリ(FeRAM)の技術動向 : ～2010とこれから(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Ferroelectric Random Access Memory : Fundamentals, recent advancements and future |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 強誘電体メモリ / Ferroelectric |
| キーワード(2)（和/英） | 強誘電体メモリセル / FeRAM |
| キーワード(3)（和/英） | PZT / FeRAM-Cell |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 川嶋 将一郎 / Shoichiro KAWASHIMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 富士通セミコンダクター(株) Fujitsu Semiconductor Ltd. |
| 発表年月日 | 2011/8/18 |
| 資料番号 | ICD2011-44,SDM2011-76 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 188 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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