| 講演名 | 2011-08-25 Single InAs quantum dots in metal embedded nano-cone structures emitting in the telecommunication O and C bands , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | In this work we present a way to use high density quantum dots (QDs) as a possible source for single photons and entangled photon pairs by isolating a small number of dots in suitable nanostructures. The used samples contain InAs/InAlGaAs QDs grown on InP substrates by molecular beam epitaxy and exhibit QD emission between 1.2 and 1.6 μm including the telecommunication O and C bands. We investigate the photoluminescence of individual QDs in metal embedded nano-cones at temperatures up to 200 K and thus demonstrate individual dot emission clearly above liquid Nitrogen temperature. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | EMD2011-44,CPM2011-88,OPE2011-79,LQE2011-42 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2011/8/18(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Single InAs quantum dots in metal embedded nano-cone structures emitting in the telecommunication O and C bands |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / C. Hermannstadter |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Research Institute for Electronic Science, Hokkaido University |
| 発表年月日 | 2011-08-25 |
| 資料番号 | EMD2011-44,CPM2011-88,OPE2011-79,LQE2011-42 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 184 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |