講演名 2011-08-10
プラズマCVD法によるSiおよびN同時添加DLC膜特性に対する水素の影響
奥野 さおり, 三浦 創史, 鎌田 亮輔, 中澤 日出樹,
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抄録(和) ダイヤモンドライクカーボン(DLC)の膜特性の改善のために、SiおよびN源にヘキサメチルジシラザン(HMDS)を用いたプラズマCVD法によりSiおよびN同時添加DLC膜を作製し、希釈ガスの違いによるDLC膜特性の変化を調べた。原料ガスとしてCH_4およびHMDS、希釈ガスとしてArまたはH_2を用い、基板には直流負バイアスを印加した。CH_4に対するHMDS流量比の増加に伴い、内部応力および摩擦係数は減少し、付着力は増加した。また、H_2希釈によって微粒子の発生を抑制できることがわかった。Arに比べてH_2を用いたときの方が、摩擦係数は減少し、密着性および耐摩耗性が向上した。
抄録(英) To further improve the properties of diamond-like carbon (DLC) films, we have deposited Si- and N-coincorporated DLC (Si-N-DLC) films by radio-frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition using hexamethyldisilazane (HMDS) as a Si and N source, and investigated in detail the effects of dilution gas on the film properties. CH_4 and HMDS were used to deposit Si-N-DLC films, and they were diluted with Ar or H_2 during deposition. A DC bias applied to the substrate was used to increase the incident ion energy. The internal stress and friction coefficient decreased and the adhesion strength increased with increasing HMDS flow ratio [HMDS/(HMDS+CH_4)]. It was found that H2 dilution was effective in suppressing the formation of particles and further decreasing the friction coefficient and increasing the adhesion strength and wear resistance.
キーワード(和) ダイヤモンドライクカーボン / プラズマ化学気相成長法 / シリコン / 窒素
キーワード(英) Diamond-like carbon / Plasma-enhanced chemical vapor deposition / Silicon / Nitrogen
資料番号 CPM2011-62
発行日

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 2011/8/3(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Component Parts and Materials (CPM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) プラズマCVD法によるSiおよびN同時添加DLC膜特性に対する水素の影響
サブタイトル(和)
タイトル(英) Hydrogen effects on the properties of Si- and N-coincorporated diamond-like carbon films prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) ダイヤモンドライクカーボン / Diamond-like carbon
キーワード(2)(和/英) プラズマ化学気相成長法 / Plasma-enhanced chemical vapor deposition
キーワード(3)(和/英) シリコン / Silicon
キーワード(4)(和/英) 窒素 / Nitrogen
第 1 著者 氏名(和/英) 奥野 さおり / Saori OKUNO
第 1 著者 所属(和/英) 弘前大学大学院理工学研究科
Faculty of Science and Technology, Hirosaki University
第 2 著者 氏名(和/英) 三浦 創史 / Soshi MIURA
第 2 著者 所属(和/英) 弘前大学大学院理工学研究科
Faculty of Science and Technology, Hirosaki University
第 3 著者 氏名(和/英) 鎌田 亮輔 / Ryosuke KAMATA
第 3 著者 所属(和/英) 弘前大学大学院理工学研究科
Faculty of Science and Technology, Hirosaki University
第 4 著者 氏名(和/英) 中澤 日出樹 / Hideki NAKAZAWA
第 4 著者 所属(和/英) 弘前大学大学院理工学研究科
Faculty of Science and Technology, Hirosaki University
発表年月日 2011-08-10
資料番号 CPM2011-62
巻番号(vol) vol.111
号番号(no) 176
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日