| 講演名 | 2011-08-10 SiC表面の直接窒化と窒化層/SiC界面特性の評価 酒井 崇史, 逸見 充則, 村田 裕亮, 鈴木 真一郎, 山上 朋彦, 林部 林平, 上村 喜一, |
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| 抄録(和) | SiC基板表面に直接窒化法により窒化層を製膜し,これを堆積法による酸化膜との界面制御層として使用することにより良好な界面特性を得ることを試みた。XPSによる直接窒化層表面の測定から直接窒化後のSiC表面層の組成と厚さを解析した結果,窒化層中の窒化種の拡散係数が著しく低いこと,直接窒化層がSiO_2 CVD装置内の残留酸素で酸化されやすいことが示された。また,MIS構造の電気的特性から界面特性を評価した結果,直接窒化層の導入により界面準位密度が低減することが示された。 |
| 抄録(英) | A nitride layer was formed on a SiC surface by direct nitridation method to use an interfacial layer of the SiC MIS structure. The XPS measurement of nitrided surface showed that the diffusion length of nitrogen in the nitridation layer was found to be extremely small, and that the direct nitridation layer was easily oxidized by the residual oxygen in SiO_2 CVD system. The direct nitridation was effective to reduce the interface state density between the insulating layer and the 4H-SiC substrate. |
| キーワード(和) | SiC / 直接窒化 / MOS / 界面準位 |
| キーワード(英) | SiC / direct nitridation / MOS / interface states |
| 資料番号 | CPM2011-58 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2011/8/3(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | SiC表面の直接窒化と窒化層/SiC界面特性の評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Direct Nitridation of SiC Surface and Characterization of Nitride/SiC Interface |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SiC / SiC |
| キーワード(2)（和/英） | 直接窒化 / direct nitridation |
| キーワード(3)（和/英） | MOS / MOS |
| キーワード(4)（和/英） | 界面準位 / interface states |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 酒井 崇史 / Takashi SAKAI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 信州大学工学部 Faculty of Engineering, Shinshu University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 逸見 充則 / Mitsunori HEMMI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 信州大学工学部 Faculty of Engineering, Shinshu University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 村田 裕亮 / Yusuke MURATA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 信州大学工学部 Faculty of Engineering, Shinshu University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 鈴木 真一郎 / Shinichiro SUZUKI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 信州大学工学部 Faculty of Engineering, Shinshu University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 山上 朋彦 / Tomohiko YAMAKAMI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 信州大学工学部 Faculty of Engineering, Shinshu University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 林部 林平 / Rinpei HAYASIBE |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 信州大学工学部 Faculty of Engineering, Shinshu University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 上村 喜一 / Kiichi KAMIMURA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 信州大学工学部 Faculty of Engineering, Shinshu University |
| 発表年月日 | 2011-08-10 |
| 資料番号 | CPM2011-58 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 176 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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