| 講演名 | 2011-07-22 アクティブディキャップを用いた電源共振雑音低減手法(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路) 金 鎮明, 名倉 徹, 高田 英裕, 石橋 孝一郎, 池田 誠, 浅田 邦博, |
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| 抄録(和) | 本研究はDVSシステムにおいて高速ホッピングで発生する電源共振雑音を低減するための回路技術を利用したディキャップ増幅手法を提案する。電源電圧状態に応じてディキャップをスイッチング制御することによって従来の受動ディキャップと比べ、より効果的に電源共振雑音低減と電源電圧安定時間向上が期待できる。0.18μm CMOSプロセスを利用して試作したテストチップの測定結果、65.8%の雑音低減効果と96%の電源電圧安定時間向上を確認した。これは従来ディキャップと比較して12倍の容量増幅効果である。 |
| 抄録(英) | This paper presents a decoupling capacitance boosting method for on-chip resonant supply noise reduction for DVS systems. The switching controls of decoupling capacitors depending on the supply noise states achieve an effective noise reduction and fast settling time simultaneously compared with the conventional passive decoupling capacitors. The measurement results of a test chip fabricated in a 0.18μm CMOS technology show 12X boost of effective decap value, and 65.8% supply noise reduction with 96% settling time improvement. |
| キーワード(和) | 電源共振雑音 / ラッシュカレント / 寄生容量 / スリープブロック / シグナルインティグリティ |
| キーワード(英) | Resonant supply noise / Rush Current / DVS / Active Decoupling Capacitors |
| 資料番号 | ICD2011-27 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2011/7/14(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | アクティブディキャップを用いた電源共振雑音低減手法(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | On-Chip Resonant Supply Noise Reduction Using Active Decoupling Capacitors |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 電源共振雑音 / Resonant supply noise |
| キーワード(2)（和/英） | ラッシュカレント / Rush Current |
| キーワード(3)（和/英） | 寄生容量 / DVS |
| キーワード(4)（和/英） | スリープブロック / Active Decoupling Capacitors |
| キーワード(5)（和/英） | シグナルインティグリティ |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 金 鎮明 / Jinmyoung KIM |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻 Dept. of Electrical Engineering, the University of Tokyo |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 名倉 徹 / Toru NAKURA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京大学大規模集積システム設計教育研究センター VLSI Design and Education Center, the University of Tokyo |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 高田 英裕 / Hidehiro TAKATA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社技術開発本部 Design Platform Development Division, Renesas Electronics Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 石橋 孝一郎 / Koichiro ISHIBASHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社技術開発本部 Design Platform Development Division, Renesas Electronics Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 池田 誠 / Makoto IKEDA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻:東京大学大規模集積システム設計教育研究センター Dept. of Electrical Engineering, the University of Tokyo:VLSI Design and Education Center, the University of Tokyo |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 浅田 邦博 / Kunihiro ASADA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻:東京大学大規模集積システム設計教育研究センター Dept. of Electrical Engineering, the University of Tokyo:VLSI Design and Education Center, the University of Tokyo |
| 発表年月日 | 2011-07-22 |
| 資料番号 | ICD2011-27 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 151 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |