| 講演名 | 2011-07-04 ハフニウム酸化物への元素添加効果 : 第一原理計算による検討(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術) 中山 利紀, 川崎 裕, 丸泉 琢也, |
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| 抄録(和) | MOSデバイス高誘電率ゲート絶縁膜として、ハフニウム酸化物(HfO_2)が期待されている。一方、同酸化物については、酸素欠損、ハフニウム欠損などの欠陥が、ゲート絶縁膜信頼性に影響する事が知られており、元素添加による改善が試みられている。本研究では、ランタン、アルミニウム、マグネシウムの添加効果について、第一原理計算により比較したので報告する。 |
| 抄録(英) | One of the most promising candidates for high-dielectric-constant gate dielectric materials is Hf-based oxide. Native defects such as oxygen vacancy and hafnium vacancy in the oxide have been known to degrade the gate dielectric properties. For improvement, foreign atom incorporation procedure into the oxide has been adopted experimentally as a simple and easy way. In this study, first-principles calculations were used to study the effects of Al, La, and Mg substitutional impurities on the properties of HfO_2 and the results are summarized. |
| キーワード(和) | 高誘電率絶縁膜 / HfO_2 / 元素添加 / 第一原理計算 |
| キーワード(英) | high-k / HfO_2 / gate dielectrics / foreign atom incorporation / first-principles method |
| 資料番号 | SDM2011-63 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2011/6/27(から1日開催) |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ハフニウム酸化物への元素添加効果 : 第一原理計算による検討(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effects of foreign atom incorporation into HfO_2 dielectrics : Examination using a first-principles method |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 高誘電率絶縁膜 / high-k |
| キーワード(2)（和/英） | HfO_2 / HfO_2 |
| キーワード(3)（和/英） | 元素添加 / gate dielectrics |
| キーワード(4)（和/英） | 第一原理計算 / foreign atom incorporation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中山 利紀 / Toshinori NAKAYAMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京都市大学工学部:(現)イリソ電子工業 Faculty of Engineering, Tokyo City University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 川崎 裕 / Hiroshi KAWASAKI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京都市大学工学部:(現)ルネサスイーストン Faculty of Engineering, Tokyo City University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 丸泉 琢也 / Takuya MARUIZUMI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京都市大学工学部 Faculty of Engineering, Tokyo City University |
| 発表年月日 | 2011-07-04 |
| 資料番号 | SDM2011-63 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 114 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |