| 講演名 | 2011-07-30 量子補正モンテカルロ法による歪みInAs HEMTの解析(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般) 佐藤 純, 町田 史晴, 原 紳介, 藤代 博記, |
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| 抄録(和) | テラヘルツ応用やポストSi CMOS等の次世代デバイスとして,高い電子移動度を示すInAsをチャネルに用いたデバイスが注目されている.InAsチャネルには基層との格子定数の違いにより,2軸性の歪みが加わる.本稿では,量子補正モンテカルロ法を用いて,チャネル層に加わる格子歪みがInAs HEMTのデバイス特性に与える影響を解析したので報告する. |
| 抄録(英) | Because of their extremely high electron mobility, InAs and related materials have attracted much attention as promising channel materials to realize the next generation devices for the terahertz applications and the post-Si CMOS. However, these channels generally suffer from the biaxial strain because of a lattice mismatch between the channel and the buffer. In this paper, we investigate the strain effects on the performances in the InAs HEMTs by using the quantum corrected Monte Carlo method. |
| キーワード(和) | InAs / HEMT / 歪み / バンド構造 / 衝突電離 / 量子補正モンテカルロ法 / 電子輸送特性 |
| キーワード(英) | InAs / HEMT / Strain / Band Structure / Impact Ionization / Quantum-Corrected Monte Carlo method / Electron Transport |
| 資料番号 | ED2011-53 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2011/7/22(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 量子補正モンテカルロ法による歪みInAs HEMTの解析(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Quantum-Corrected Monte Carlo Analysis of Strained InAs HEMTs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InAs / InAs |
| キーワード(2)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(3)（和/英） | 歪み / Strain |
| キーワード(4)（和/英） | バンド構造 / Band Structure |
| キーワード(5)（和/英） | 衝突電離 / Impact Ionization |
| キーワード(6)（和/英） | 量子補正モンテカルロ法 / Quantum-Corrected Monte Carlo method |
| キーワード(7)（和/英） | 電子輸送特性 / Electron Transport |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 佐藤 純 / Jun SATO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京理科大学 Tokyo University of Science |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 町田 史晴 / Fumiharu MACHIDA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京理科大学 Tokyo University of Science |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 原 紳介 / Shinsuke HARA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京理科大学 Tokyo University of Science |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 藤代 博記 / Hiroki I. FUJISHIRO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京理科大学 Tokyo University of Science |
| 発表年月日 | 2011-07-30 |
| 資料番号 | ED2011-53 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 167 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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