| 講演名 | 2011-07-29 III-V化合物半導体を用い歪み駆動自己変形プロセスで作製した微小な円弧型カンチレバーの弾性測定(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般) 岩瀬 比宇麻, 王 建, 赤堀 誠志, 山田 省二, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 一般的な原子間力顕微鏡(Atomic Force Microscopy: AFM)を用い,μmオーダーの寸法を持つ半円弧型カンチレバーの機械的特性について測定を試みた.III-V族化合物半導体ヘテロ多層構造を用い歪みを導入した多層構造の一部を基板から切り離し自己変形させる事で微小な半円弧カンチレバーを作製した.作製したカンチレバーの曲率半径はカンチレバーの幅が大きい程小さい事が示され,これは幅の大小に依存して幅方向の応力緩和の状態が異なるためと考えられる.この応力状態の差異は半円弧型カンチレバーのバネ定数等の基本的な機械的特性にも影響を与える可能性が有り,これを確認するためにAFMを用いプローブカンチレバーで半円弧型カンチレバーを押しつぶしバネ定数を評価した.結果として本実験からは幅方向の歪み緩和のバネ定数への影響は確認できなかった. |
| 抄録(英) | We have investigated mechanical characteristics of circular arc shaped 3D micro-cantilevers by using a conventional atomic force microscopy (AFM). The cantilevers were fabricated using strain driven self-bending process based on the epitaxially grown multilayer heterostructure. Curvature radius of fabricated cantilevers show clear dependency on width. It can originates from the difference of the stress relaxation in cantilever width direction (transverse to deformation direction). In the case of the arc spring, spring constant can depends on the stress relaxations. To confirm this, we measured the force-deflection relationship which can give spring constants by means of an AFM. However, the influence of strain relaxation of width direction into spring constants is not clearly observed. |
| キーワード(和) | III-V族化合物半導体 / 分子線エピタキシー / Micro Electrical- Mechanical- System / カンチレバー / バネ定数 |
| キーワード(英) | III-V Compound Semiconductor / Molecular Beam Epitaxy / Micro Electrical- Mechanical- System / Cantilever / Spring constant |
| 資料番号 | ED2011-45 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
|---|---|
| 開催期間 | 2011/7/22(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | III-V化合物半導体を用い歪み駆動自己変形プロセスで作製した微小な円弧型カンチレバーの弾性測定(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Spring Characteristics of Circular Arc Shaped 3D Micro-cantilevers Fabricated Using III-V Semiconductor Strain-driven Bending Process |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | III-V族化合物半導体 / III-V Compound Semiconductor |
| キーワード(2)（和/英） | 分子線エピタキシー / Molecular Beam Epitaxy |
| キーワード(3)（和/英） | Micro Electrical- Mechanical- System / Micro Electrical- Mechanical- System |
| キーワード(4)（和/英） | カンチレバー / Cantilever |
| キーワード(5)（和/英） | バネ定数 / Spring constant |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 岩瀬 比宇麻 / Hiuma IWASE |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジセンター Center for Nano Materials, Japan Advanced Institute of Science and Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 王 建 / Jian WANG |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジセンター Center for Nano Materials, Japan Advanced Institute of Science and Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 赤堀 誠志 / Masashi AKABORI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジセンター Center for Nano Materials, Japan Advanced Institute of Science and Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山田 省二 / Syoji YAMADA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジセンター Center for Nano Materials, Japan Advanced Institute of Science and Technology |
| 発表年月日 | 2011-07-29 |
| 資料番号 | ED2011-45 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 167 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |