| 講演名 | 2011-07-29 GaAs(001)上のAlNスパッタ堆積およびAl_2O_3原子層堆積における表面前処理の効果(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般) 工藤 昌宏, / 赤堀 誠志, 鈴木 寿一, |
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| 抄録(和) | AINスパッタ堆積とAl_2O_3原子層堆積を用い,GaAs(001)上絶縁膜の検討を行った.さまざまな表面前処理を施したGaAs(001)基板上に堆積されたAlNとAl_2O_3に対し,X線光電子分光(XPS)によって界面の結合状態を評価した.また,GaAs金属-絶縁体-半導体(MIS)構造の電気的評価を行った.I-V特性評価から,AIN/GaAs(001)MIS構造,Al_2O_3/GaAs(001)MIS構造ともに良好な絶縁性を示すことがわかった.一方,C-V特性評価からは,ともに絶縁膜/GaAs(001)界面準位に起因する周波数分散が観測された.この周波数分散は,AlN/GaAs(001)MIS構造でより顕著であり,また,硫黄による表面前処理によって減少する傾向があることがわかった.Al_2O_3/GaAs(001)では周波数分散とGa-O結合との相関が見られるが,AlN/GaAs(001)では相関が見られなかった. |
| 抄録(英) | Using AlN sputtering and Al_2O_3 atomic layer depositions, insulator films on GaAs(001) have been investigated. For depositions on GaAs(001) with several surface pre-treatments, the interface bonding was characterized by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). Electrical properties of ALN/GaAs(001) and AL_2O_3/GaAs(001) metal-insulator-semiconductor (MIS) structures were investigated. From I-V characteristics, we observed good insulating properties of the both MIS structures. On the other hand, we observed the frequency dispersion in C-V characteristics of the both MIS structures, owing to the interface states at the insulator/GaAs(001). The frequency dispersion is more significant for the AlN/GaAs(001) MIS structures, and exhibits a tendency of suppression by the surface pre-treatments using sulfur. Al2O_3/GaAs(001) exhibits a correlation between the frequency dispersion and the Ga-O bonding, but AlN/GaAs(001) does not. |
| キーワード(和) | AlN/GaAs(001) / Al_2O_3/GaAs(001) / スパッタ堆積 / 原子層堆積 / XPS / C-V特性 / 周波数分散 / 界面準位 |
| キーワード(英) | AlN/GaAs(001) / Al_2O_3/GaAs(001) / sputtering deposition / atomic layer deposition / XPS / C-V characteristics / frequency dispersion / interface states |
| 資料番号 | ED2011-42 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2011/7/22(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaAs(001)上のAlNスパッタ堆積およびAl_2O_3原子層堆積における表面前処理の効果(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effects of surface pre-treatments for AlN sputtering and Al_2O_3 atomic layer depositions on GaAs(001) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlN/GaAs(001) / AlN/GaAs(001) |
| キーワード(2)（和/英） | Al_2O_3/GaAs(001) / Al_2O_3/GaAs(001) |
| キーワード(3)（和/英） | スパッタ堆積 / sputtering deposition |
| キーワード(4)（和/英） | 原子層堆積 / atomic layer deposition |
| キーワード(5)（和/英） | XPS / XPS |
| キーワード(6)（和/英） | C-V特性 / C-V characteristics |
| キーワード(7)（和/英） | 周波数分散 / frequency dispersion |
| キーワード(8)（和/英） | 界面準位 / interface states |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 工藤 昌宏 / Masahiro KUDO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター Center for Nano Materials and Technology, Japan Advanced Institute of Science and Technology (JAIST) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | / 赤堀 誠志 / Hong-An SHIH |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター Center for Nano Materials and Technology, Japan Advanced Institute of Science and Technology (JAIST) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 鈴木 寿一 / Masashi AKABORI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター Center for Nano Materials and Technology, Japan Advanced Institute of Science and Technology (JAIST) |
| 発表年月日 | 2011-07-29 |
| 資料番号 | ED2011-42 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 167 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |