| 講演名 | 2011-07-29 AlGaN/GaN HFETに対する炭素添加高抵抗化SiドープGaNバッファ層の効果(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般) 深井 雅之, 柿澤 秀介, 伏見 浩, |
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| 抄録(和) | AlGaN/GaN HFETに必要な高抵抗バッファ層を,フェルミレベル効果の利用による低温成長の炭素添加SiドープGaNで実現し,HFETに適用することで良好なDC特性が得られた.炭素添加による高抵抗化SiドープGaNは,950℃で低温成長しており,1000℃以上の熱履歴に対しても高抵抗を維持できる.これをバッファ層に適用したHFETでは,バッファリークが低減できるため,良好なピンチオフ動作と10^5程度の高いON/OFF比を持つ特性が実現できた. |
| 抄録(英) | Based on Fermi level effect, we intentionally incorporated carbon into Si-doped GaN by low-temperature grown MOVPE at 950℃ to achieve the high resistivity buffer layer for AlGaN/GaN HFETs. Its crystalline quality does not degraded even in low-temperature growth. Measuring depth profiles and annealing behavior of impurity concentrations characterize the electrical and structural properties. It is found that electrical properties of the buffer layer do not change by high-temperature annealing, which is very stable. We like to point out that introduced carbon during growth of Si-doped GaN plays an important role in high resistivity buffer layer for AlGaN/GaN HFETs. |
| キーワード(和) | AlGaN / GaN / HFET / フェルミレベル効果 / 高抵抗化 / ドーピング / 炭素 / シリコン |
| キーワード(英) | AlGaN / GaN / HFET / Fermi level effect / High resistivity / Doping / Carbon / Silicon |
| 資料番号 | ED2011-37 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2011/7/22(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | AlGaN/GaN HFETに対する炭素添加高抵抗化SiドープGaNバッファ層の効果(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effect of C and Si co-doping high resistivity GaN buffer layer on AlGaN/GaN HFETs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | HFET / HFET |
| キーワード(4)（和/英） | フェルミレベル効果 / Fermi level effect |
| キーワード(5)（和/英） | 高抵抗化 / High resistivity |
| キーワード(6)（和/英） | ドーピング / Doping |
| キーワード(7)（和/英） | 炭素 / Carbon |
| キーワード(8)（和/英） | シリコン / Silicon |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 深井 雅之 / Masayuki Fukai |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 新日本無線株式会社技術開発本部 New Japan Radio Co., Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 柿澤 秀介 / Shusuke Kakizawa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 新日本無線株式会社技術開発本部 New Japan Radio Co., Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 伏見 浩 / Hiroshi Fushimi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 新日本無線株式会社技術開発本部 New Japan Radio Co., Ltd. |
| 発表年月日 | 2011-07-29 |
| 資料番号 | ED2011-37 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 167 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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