| 講演名 | 2011-07-22 20W級C-Ku帯広帯域高出力GaN HEMT MMIC増幅器(マイクロ波フォトニクス技術,一般) 桑田 英悟, 山中 宏治, 小山 英寿, 桐越 祐, 中山 正敏, 平野 嘉仁, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | GaN HEMTを用いた広帯域増幅器について,分布形増幅器と反射整合形増幅器の高出力・高周波特性の比較について報告する.さらにMMIC構成で小型なGaN HEMT広帯域増幅器を試作した結果,4mm×4.8mmの小さなチップサイズで6～18GHzの3倍帯域の広帯域に渡って平均出力電力20W,平均動作利得9.6B,平均PAE15%が得られた.これは,動作帯域にKu帯を含み比帯域が100%以上の増幅器の条件下で,出力電力および単位面積当たりの出力電力が世界最高である. |
| 抄録(英) | This paper reports on a Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor (GaN HEMT) Monolithic Microwave Integrated Circuit (MMIC) high power amplifier (HPA), which features high power and high gain over C-Ku band 115 % relative bandwidth. A C-Ku band GaN HEMT MMIC amplifier was manufactured and measured. Size of the MMIC HPA was 4mm by 4.8mm. The fabricated MMIC HPA delivered an averaged output power of 20 W with averaged power gain of 9.6dB over C-Ku band. The output power is state-of-the-art high output power for GaN HEMT MMIC amplifiers with more than 100% relative bandwidth and up to Ku band operation frequency. |
| キーワード(和) | 増幅器 / 広帯域 / GaN HEMT / 3倍帯域 / MMIC / 高出力増幅器 |
| キーワード(英) | Broadband amplifiers / GaN HEMT / power amplifier / microwave / band width / MMIC |
| 資料番号 | MW2011-59,OPE2011-46,EST2011-45,MWP2011-27 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EST |
|---|---|
| 開催期間 | 2011/7/14(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electronic Simulation Technology (EST) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 20W級C-Ku帯広帯域高出力GaN HEMT MMIC増幅器(マイクロ波フォトニクス技術,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | C-Ku band ultra broadband GaN MMIC amplifier with 20W output power |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 増幅器 / Broadband amplifiers |
| キーワード(2)（和/英） | 広帯域 / GaN HEMT |
| キーワード(3)（和/英） | GaN HEMT / power amplifier |
| キーワード(4)（和/英） | 3倍帯域 / microwave |
| キーワード(5)（和/英） | MMIC / band width |
| キーワード(6)（和/英） | 高出力増幅器 / MMIC |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 桑田 英悟 / Eigo Kuwata |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)情報技術総合研究所 Mitsubishi Electric Corporation Information Technology R&D Center |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 山中 宏治 / Koji Yamanaka |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)情報技術総合研究所 Mitsubishi Electric Corporation Information Technology R&D Center |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小山 英寿 / Hidetoshi Koyama |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)高周波光デバイス製作所 Mitsubishi Electric Corporation High Frequency & Optical Device Works |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 桐越 祐 / Tasuku Kirikoshi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)通信機製作所 Mitsubishi Electric Corporation Communication Systems Center |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 中山 正敏 / Masatoshi Nakayama |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)情報技術総合研究所 Mitsubishi Electric Corporation Information Technology R&D Center |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 平野 嘉仁 / Yoshihito Hirano |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)情報技術総合研究所 Mitsubishi Electric Corporation Information Technology R&D Center |
| 発表年月日 | 2011-07-22 |
| 資料番号 | MW2011-59,OPE2011-46,EST2011-45,MWP2011-27 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 149 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |