| 講演名 | 2011-07-13 共通鍵ブロック暗号HyRALの飽和攻撃耐性評価(II)(セキュリティ関係,一般) 芝山 直喜, 五十嵐 保隆, 金子 敏信, 半谷 精一郎, |
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| 抄録(和) | 本稿では,2010年に(株)ローレルインテリジェントシステムズの平田によって提案された共通鍵ブロック暗号HyRALに対する飽和攻撃について報告する.これまでに,HyRALには7ラウンドの同期型8階差分特性が存在し,鍵長が256bitのとき,12ラウンドのHyRALに対して高階差分攻撃が可能であることが報告されている.本稿では,HyRALの新たな9ラウンドの64階差分を用いた飽和特性について報告する.また,この特性を利用することによって,鍵長が256bitのとき,13ラウンドのHyRALに対して飽和攻撃が可能であることを示す. |
| 抄録(英) | In this paper, we focuse on the saturation attack on block cipher HyRAL that was proposed by Hirata in 2010. It has been shown that 12-round with 256-bit secret key is attackable by higher order differential attack using 7-round synchronous higher order differential characteristics. Based on this characteristics, this paper shows a new 9-round saturation characteristics of HyRAL using 64-th order differential, and estimates the costs of the attack using them. For the case of a 256-bit secret key, it is possible to apply the saturation attack to 13-round HyRAL. |
| キーワード(和) | HyRAL / ブロック暗号 / 飽和特性 / 暗号解析 |
| キーワード(英) | HyRAL / Block Cipher / Saturation Characteristics / Cryptanalysis |
| 資料番号 | ISEC2011-19,SITE2011-16,ICSS2011-24,EMM2011-18 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICSS |
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| 開催期間 | 2011/7/5(から1日開催) |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Information and Communication System Security (ICSS) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 共通鍵ブロック暗号HyRALの飽和攻撃耐性評価(II)(セキュリティ関係,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Security Evaluation of HyRAL against Saturation Cryptanalysis(II) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | HyRAL / HyRAL |
| キーワード(2)（和/英） | ブロック暗号 / Block Cipher |
| キーワード(3)（和/英） | 飽和特性 / Saturation Characteristics |
| キーワード(4)（和/英） | 暗号解析 / Cryptanalysis |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 芝山 直喜 / Naoki SHIBAYAMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京理科大学大学院工学研究科 Department of Electrical Engineering, Faculty of Engineering, Tokyo University of Science |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 五十嵐 保隆 / Yasutaka IGARASHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京理科大学大学院理工学研究科 Department of Electrical Engineering, Faculty of Science and Technology, Tokyo University of Science |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 金子 敏信 / Toshinobu KANEKO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京理科大学大学院理工学研究科 Department of Electrical Engineering, Faculty of Science and Technology, Tokyo University of Science |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 半谷 精一郎 / Seiichiro HANGAI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京理科大学大学院工学研究科 Department of Electrical Engineering, Faculty of Engineering, Tokyo University of Science |
| 発表年月日 | 2011-07-13 |
| 資料番号 | ISEC2011-19,SITE2011-16,ICSS2011-24,EMM2011-18 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 125 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |