| 講演名 | 2011/6/23 単結晶AlNバッファー層を用いた近紫外LEDの特性(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」) 勝野 弘, 櫛部 光弘, 金子 桂, 山田 真嗣, 大場 康夫, |
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| 抄録(和) | 近紫外LEDを励起光源として用いた白色LEDは、演色性が高いことで知られているが、電流増大による効率低下が少ない特徴を生かして、高輝度な固体照明の実現も期待できる。高温成長AlNバッファー層を用いた低欠陥結晶成長技術と電流均一性に優れた素子構造を採用して、可視光LED並みの効率を持つ390mm帯の近紫外LEDを作製し、光出力の電流依存性を調べた。その結果、量子井戸の厚膜化によって高電流領域における効率低下を抑制できることが分かり、0.35Aおよび3A動作時においてそれぞれ0.6W、4.3Wの光出力が得られた。 |
| 抄録(英) | We have developed near-UV LEDs which adopted high-quality GaN growth technique using high-temperature-grown AlN as a buffer layer and superior chip structure in current uniformity and realized similar efficiency as regular visible LEDs. Current dependence of light-output power revealed that degradation of an efficiency at high current region could be suppressed by using a thick quantum well and showed high power characteristics of 4.3W at 3A. |
| キーワード(和) | GaN / 紫外 / LED / AlNバッファー層 |
| キーワード(英) | GaN / ultraviolet / light emitting diodes / AlN buffer |
| 資料番号 | OPE2011-20,LOE2011-20 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OPE |
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| 開催期間 | 2011/6/23(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Optoelectronics (OPE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 単結晶AlNバッファー層を用いた近紫外LEDの特性(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of near ultra-violet LEDs using single crystal AlN buffer layer |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | 紫外 / ultraviolet |
| キーワード(3)（和/英） | LED / light emitting diodes |
| キーワード(4)（和/英） | AlNバッファー層 / AlN buffer |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 勝野 弘 / Hiroshi KATSUNO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝研究開発センター Corporate R&D Center, TOSHIBA Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 櫛部 光弘 / Mitsuhiro KUSHIBE |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝研究開発センター Corporate R&D Center, TOSHIBA Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 金子 桂 / Kei KANEKO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝研究開発センター Corporate R&D Center, TOSHIBA Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山田 真嗣 / Shinji YAMADA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝研究開発センター Corporate R&D Center, TOSHIBA Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 大場 康夫 / Yasuo OHBA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝研究開発センター Corporate R&D Center, TOSHIBA Corporation |
| 発表年月日 | 2011/6/23 |
| 資料番号 | OPE2011-20,LOE2011-20 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 111 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |