| 講演名 | 2011-06-30 細線状活性層を有する低消費電力分布反射型レーザの広変調帯域(>25Gbit/s)動作(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」) 西山 伸彦, 高橋 大佑, 李 承勲, 白尾 瑞基, 信野 圭祐, 雨宮 智宏, 荒井 滋久, |
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| 抄録(和) | 低消費電力動作を可能とする細線状活性層を有する長波長帯分布反射型(Distributed Reflector:DR)レーザの直接変調帯域の増大を目的として研究を行った。細線状活性層を包む光閉じ込め層内でのキャリア拡散輸送に起因する遅れが問題となることを指摘し、数値解析を行った結果、光閉じ込め層を薄層化することを提案した。これを元にデバイスの設計、再作製を行い、しきい値電流値3.0mA、前端面からの外部微分量子効率44%の素子においてバイアス電流28mAにおける3dB帯域15GHzが得られ、25Gbit/sの高速変調においても良好なアイ開口を確認した。 |
| 抄録(英) | Bandwidth enhancement of low power consumption long wavelength distributed reflector lasers with wire-like active region has been studied. We pointed out the delay of the carrier transport can be noticeable in the wire-like active region compared with conventional quantum well lasers according to numerical simulation and proposed to use thinner optical confinement layers. Using a new structure after the simulation study, a DR laser with threshold current of 3.0mA and the differential quantum efficiency of 44% has been achieved. This device shows the 3dB bandwidth of 15GHz with the bias current of 28mA and clear eye opening was observed up to 25Gbit |
| キーワード(和) | 高速変調 / 半導体レーザ / 細線構造 |
| キーワード(英) | High speed modulation / Semiconductor lasers / Quantum wire structure |
| 資料番号 | OPE2011-15,LQE2011-15 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OPE |
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| 開催期間 | 2011/6/23(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Optoelectronics (OPE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 細線状活性層を有する低消費電力分布反射型レーザの広変調帯域(>25Gbit/s)動作(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Wide Bandwidth (>25Gbit/s) Modulation of Low Power Consumption Distributed Reflector Lasers with Wire-like Active Region |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 高速変調 / High speed modulation |
| キーワード(2)（和/英） | 半導体レーザ / Semiconductor lasers |
| キーワード(3)（和/英） | 細線構造 / Quantum wire structure |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 西山 伸彦 / Nobuhiko NISHIYAMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻 Department of Electrical and Electronics Engineeing., Tokyo Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 高橋 大佑 / Daisuke TAKAHASHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻 Department of Electrical and Electronics Engineeing., Tokyo Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 李 承勲 / SeungHun LEE |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター Quantum Nanoelectronics Research Cemter, Tokyo Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 白尾 瑞基 / Mizuki SHIRAO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻 Department of Electrical and Electronics Engineeing., Tokyo Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 信野 圭祐 / Keisuke SHINNO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻 Department of Electrical and Electronics Engineeing., Tokyo Institute of Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 雨宮 智宏 / Tomohiro AMEMIYA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻:東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター Department of Electrical and Electronics Engineeing., Tokyo Institute of Technology:Quantum Nanoelectronics Research Cemter, Tokyo Institute of Technology |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 荒井 滋久 / Shigehisa ARAI |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻:東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター Department of Electrical and Electronics Engineeing., Tokyo Institute of Technology:Quantum Nanoelectronics Research Cemter, Tokyo Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2011-06-30 |
| 資料番号 | OPE2011-15,LQE2011-15 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 111 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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