| 講演名 | 2011-06-30 低電圧スパッタ法を用いた室温成膜AZO薄膜の特性(材料デバイスサマーミーティング) 樫出 淳, 名越 克仁, 清水 英彦, 岩野 春男, 川上 貴浩, 永田 向太郎, 福嶋 康夫, 坪井 望, 野本 隆宏, |
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| 抄録(和) | 本研究では,低電圧でのスパッタが可能なRF-DC結合形スパッタ法と,ターゲットの焼結温度に注目し,高エネルギー粒子が膜に及ぼす影響とターゲット作製条件の違いによるAZO薄膜の特性の検討を行った。その結果,低電圧にて作製した薄膜の方が,ZnO(002)面ピーク強度が大きくなる傾向であることが分かった。また,焼結温度1100℃に比べ,1300℃の方が,若干ZnO(002)面ピーク強度が小さくなった。1100℃にて焼結したターゲットを用い,作製された薄膜では,どの基板位置においても,低電圧にて作製した薄膜の方が,移動度が大きく,キャリア密度及び抵抗率が小さいことが分かった。一方,1300℃にて焼結したターゲットを用い,作製された薄膜は,1100℃にて焼結したターゲットを用いた場合に比べ,放電電圧による違いは小さいことが分かった。 |
| 抄録(英) | In order to examine that effect of high energy particles and fabricated conditions of targets, such as sintering temperature, deposition of AZO thin films was attempted at the room temperature by the RF-DC coupled magnetron sputtering method. As a result, the films deposited by low sputtering voltage had excellent c-axis orientation compared with the films deposited by high sputtering voltage. The films deposited by target sintered at 1300℃ had bad crystallinity compared with the films deposited using target sintered at 1100℃. The film deposited by target sintered at 1100℃ and low sputtering voltage had high mobility, low carrier concentration, and low resistivity in any substrate position compared with the film deposited by target sintered at 1100℃ and high sputtering voltage. Characteristic difference with the discharge voltage of the films deposited by target sintered at 1300℃ was small compared with the films deposited by target sintered at 1100℃. |
| キーワード(和) | ZnO薄膜 / RF-DC結合形スパッタ法 / 結晶性 / エロージョン |
| キーワード(英) | ZnO thin film / RF-DC coupled MS method / crystallinity / Erosion |
| 資料番号 | EMD2011-18,CPM2011-54,OME2011-32 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EMD |
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| 開催期間 | 2011/6/23(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electromechanical Devices (EMD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 低電圧スパッタ法を用いた室温成膜AZO薄膜の特性(材料デバイスサマーミーティング) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Properties of AZO Thin Films Deposited at Room temperature by Low Voltage Sputtering Method |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ZnO薄膜 / ZnO thin film |
| キーワード(2)（和/英） | RF-DC結合形スパッタ法 / RF-DC coupled MS method |
| キーワード(3)（和/英） | 結晶性 / crystallinity |
| キーワード(4)（和/英） | エロージョン / Erosion |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 樫出 淳 / Jun Kashiide |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 新潟大学大学院自然科学研究科 Graduate School of Science and Technology, Niigata University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 名越 克仁 / Katsuhito Nagoshi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 新潟大学大学院自然科学研究科 Graduate School of Science and Technology, Niigata University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 清水 英彦 / Hidehiko Shimizu |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 新潟大学工学部 Faculty of Engineering, Niigata University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 岩野 春男 / Haruo Iwano |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 新潟大学工学部 Faculty of Engineering, Niigata University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 川上 貴浩 / Takahiro Kawakami |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 新潟大学工学部 Faculty of Engineering, Niigata University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 永田 向太郎 / Koutarou Nagata |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 新潟大学工学部 Faculty of Engineering, Niigata University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 福嶋 康夫 / Yasuo Fukushima |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 新潟大学工学部 Faculty of Engineering, Niigata University |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 坪井 望 / Nozomu Tsuboi |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 新潟大学工学部 Faculty of Engineering, Niigata University |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 野本 隆宏 / Takahiro Nomoto |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 新潟大学工学部 Faculty of Engineering, Niigata University |
| 発表年月日 | 2011-06-30 |
| 資料番号 | EMD2011-18,CPM2011-54,OME2011-32 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 108 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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