講演名 2011-06-24
ミリ波帯CMOS基板上伝送線路型スパイラルインダクタの電磁界解析と実測による検証(マイクロ波信号発生と計測技術/マイクロ波一般)
浅野 隼, 平野 拓一, 岡田 健一, 広川 二郎, 安藤 真,
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抄録(和) ミリ波帯CMOS基板上伝送線路型スパイラルインダクタの特性を効率的に電磁界シミュレーションで予測するためのモデリングについて検討した。シリコン基板が見える構造ではシリコン表面のシリサイド、ウェル、拡散層のモデリングが重要であることがわかった。1.5周伝送線路型スパイラルインダクタの損失を調べ、線路間の間隔が20μm以上になると、線路部、コーナー部、交差部の2ポートSパラメータを接続した結果は全体構造の電磁界解析結果と一致し、線路間の結合が無視できて長さが同じ直線状線路と同一の特性となることがわかった。また、伝送線路型半周スパイラルインダクタの実測値からインダクタンス値、抵抗値、Q値を抽出し、損失が少ない線路ほどQ値が高いことがわかった。
抄録(英) Transmission line-type spiral inductors are investigated by electromagnetic simulation and measurements. It was found that silicides, wells and diffusion layers are important in electromagnetic modeling. Transmission line-type spiral inductor can be considered to be a transmission line with the same total length when the distance between lines is far. Inductance, resistance and Q-factors were extracted by measured data. Q-factor becomes small if loss of the transmission line is large.
キーワード(和) CMOS / スパイラルインダクタ / 伝送線路 / シリコン / 電磁界解析
キーワード(英) CMOS / Spiral Inductor / Transmission Line / Silicon / Electromagnetic Analysis
資料番号 MW2011-37
発行日

研究会情報
研究会 MW
開催期間 2011/6/16(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Microwaves (MW)
本文の言語 JPN
タイトル(和) ミリ波帯CMOS基板上伝送線路型スパイラルインダクタの電磁界解析と実測による検証(マイクロ波信号発生と計測技術/マイクロ波一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Analysis and Measurement of Transmission Line-Type Spiral Inductors in the Millimeter-Wave Band
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) CMOS / CMOS
キーワード(2)(和/英) スパイラルインダクタ / Spiral Inductor
キーワード(3)(和/英) 伝送線路 / Transmission Line
キーワード(4)(和/英) シリコン / Silicon
キーワード(5)(和/英) 電磁界解析 / Electromagnetic Analysis
第 1 著者 氏名(和/英) 浅野 隼 / Jun ASANO
第 1 著者 所属(和/英) 東京工業大学理工学研究科
Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology
第 2 著者 氏名(和/英) 平野 拓一 / Takuichi HIRANO
第 2 著者 所属(和/英) 東京工業大学理工学研究科
Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology
第 3 著者 氏名(和/英) 岡田 健一 / Kenichi OKADA
第 3 著者 所属(和/英) 東京工業大学理工学研究科
Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology
第 4 著者 氏名(和/英) 広川 二郎 / Jiro HIROKAWA
第 4 著者 所属(和/英) 東京工業大学理工学研究科
Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology
第 5 著者 氏名(和/英) 安藤 真 / Makoto ANDO
第 5 著者 所属(和/英) 東京工業大学理工学研究科
Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology
発表年月日 2011-06-24
資料番号 MW2011-37
巻番号(vol) vol.111
号番号(no) 95
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日