| 講演名 | 2011-06-24 近接構造変化を考慮したパッケージ及び回路基板の部分インダクタンスの高速抽出法(回路,EMC,一般) 西本 太樹, 松嶋 徹, 久門 尚史, 和田 修己, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 多層プリント回路基板(Printed Circuit Board: PCB)において,クリアランス・ホールが集中したときには導体プレーン上にスリットが形成されるが,スリットにより帰路電流及び誘導電流が妨げられると,プレーンの自己部分インダクタンスが上昇する.デバイスの動作周波数上昇に伴い,こうした導体プレーンのインダクタンスによる影響が無視できなくなりつつある.本報告では,Stand Alone Package Modeling法の利用や解析的な電流密度表現の導入により,PCB導体プレーンの構造変化による部分インダクタンスの変化を高速に抽出する方法を検討した. |
| 抄録(英) | On multilayer printed circuit boards (PCB), slits on a conductive plane formed by concentrated antipads vary partial inductances, because return current is interfered with by the slits. The fact that electronic devices are operating at higher frequency in recent years disables us to ignore effects by inductances on a conductive plane no longer. In this report, we study a fast method for extracting partial inductance changes due to structure changes of a PCB conductive plane, using Stand Alone Package Modeling(SAPM) method and an analytical expression of current distributions on the plane. |
| キーワード(和) | LSIパッケージ / プリント回路基板 / 等価回路モデル / チップ-パッケージ統合設計 / 部分インダクタンス |
| キーワード(英) | LSI package / printed circuit board / equivalent circuit model / chip-package co-design / partial inductance |
| 資料番号 | EMCJ2011-35 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EMCJ |
|---|---|
| 開催期間 | 2011/6/17(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electromagnetic Compatibility (EMCJ) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 近接構造変化を考慮したパッケージ及び回路基板の部分インダクタンスの高速抽出法(回路,EMC,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fast method of extracting partial inductances at a package and a circuit board considering proximity structure alteration |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | LSIパッケージ / LSI package |
| キーワード(2)（和/英） | プリント回路基板 / printed circuit board |
| キーワード(3)（和/英） | 等価回路モデル / equivalent circuit model |
| キーワード(4)（和/英） | チップ-パッケージ統合設計 / chip-package co-design |
| キーワード(5)（和/英） | 部分インダクタンス / partial inductance |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 西本 太樹 / Taiki NISHIMOTO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科電気工学専攻 Department of Electrical Engineering, Kyoto University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 松嶋 徹 / Tohlu MATSUSHIMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科電気工学専攻 Department of Electrical Engineering, Kyoto University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 久門 尚史 / Takashi HISAKADO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科電気工学専攻 Department of Electrical Engineering, Kyoto University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 和田 修己 / Osami WADA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科電気工学専攻 Department of Electrical Engineering, Kyoto University |
| 発表年月日 | 2011-06-24 |
| 資料番号 | EMCJ2011-35 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 99 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |