| 講演名 | 2011-06-30 高効率ZnO/Cu_2Oヘテロ接合太陽電池の作製(材料デバイスサマーミーティング) 西 祐希, 野口 雄介, 宮田 俊弘, 南 内嗣, |
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| 抄録(和) | 安価で資源的に問題が無く、かつ人体に対して無害な亜酸化銅(Cu_2O)を用いるAlドープZnO(AZO)薄膜/ノンドープZnO(ZO)薄膜/多結晶Cu_2O構造を採用した低コストn-pヘテロ接合太陽電池を作製し、高変換効率を達成した。高い変換効率はCuシートを熱酸化した高品質多結晶p形Cu_2Oシート上に、厚さ約30-50[mm]の多結晶n形ZO薄膜層を低ダメージ成膜することにより達成した。AM1.5G擬似太陽光照射下において、開放端電圧(Vbc);0.69[V]、短絡電流密度(Jsc):10.1[mA/cm]、因子曲線(FF);0.5、及び変換効率(η);3.83[%]を実現できた。 |
| 抄録(英) | High conversion efficiencies above 3[%] were achieved in n-p heterojunction oxide solar cells with an Al-doped ZnO (AZO)/non-doped ZnO(ZO)/ Cu_2O structure. This achievement was made possible by the formation of an n-ZO thin-film layer, prepared with an appropriate thickness by a low damage deposition, on high quality Cu_2O sheets produced by a thermal oxidization of copper sheets: n-ZO thin film optimal thickness in the range from 30 to 50 nm. Photovoltaic characteristics such as an open circuit voltage of 0.69[V], short circuit current of 10.1[mA/cm^2], fill factor of 0.5 and conversion efficiency of 3.83[%] were attained under simulated AM1.5G solar illumination. |
| キーワード(和) | Cu_2O / ZnO / AZO / 酸化物 / 太陽電池 / 高効率 / ヘテロ接合 |
| キーワード(英) | Cu_2O / ZnO / AZO / oxide / solar cell / high efficiency / heterojunction |
| 資料番号 | EMD2011-14,CPM2011-50,OME2011-28 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2011/6/23(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高効率ZnO/Cu_2Oヘテロ接合太陽電池の作製(材料デバイスサマーミーティング) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of high-efficiency ZnO/Cu_2O heterojunction solar cells |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Cu_2O / Cu_2O |
| キーワード(2)（和/英） | ZnO / ZnO |
| キーワード(3)（和/英） | AZO / AZO |
| キーワード(4)（和/英） | 酸化物 / oxide |
| キーワード(5)（和/英） | 太陽電池 / solar cell |
| キーワード(6)（和/英） | 高効率 / high efficiency |
| キーワード(7)（和/英） | ヘテロ接合 / heterojunction |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 西 祐希 / Yuki NISHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学光電相互変換デバイスシステム研究開発センター Optoelectoronic Device System R&D Center, Kanazawa Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 野口 雄介 / Yuusuke NOGUCHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学光電相互変換デバイスシステム研究開発センター Optoelectoronic Device System R&D Center, Kanazawa Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 宮田 俊弘 / Toshihiro MIYATA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学光電相互変換デバイスシステム研究開発センター Optoelectoronic Device System R&D Center, Kanazawa Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 南 内嗣 / Tadatsugu MINAMI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学光電相互変換デバイスシステム研究開発センター Optoelectoronic Device System R&D Center, Kanazawa Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2011-06-30 |
| 資料番号 | EMD2011-14,CPM2011-50,OME2011-28 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 109 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |