講演名 | 2011-06-30 CVD法及び溶液成長法による酸化物ナノ構造の形成と形状制御(材料デバイスサマーミーティング) 寺迫 智昭, 藤原 哲郎, 竹川 晃平, 白方 祥, |
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抄録(和) | 様々な形状を有するZnO,CdO及びMgOナノ構造が,Auナノコロイドを触媒に用いた大気圧CVD法によって得られた.ZnO及びCdOナノロッド(NRs)の形状は,基板温度の上昇とともに円柱状から円錐状へと変化した.ZnO NRsに対しては,原料のZnとH_2Oとを時間的に分離して基板上に供給する方法がこの円錐化の抑制に有効であることが明らかにされた.また酢酸亜鉛二水和物を原料とする溶液成長法によってスプレー法(MgZn)Oシード層上への垂直配向ZnO NRsの成長にも成功した.溶液成長ZnO NRsでは,溶液濃度の増加に伴う直径の増加が確認された. |
抄録(英) | Various shapes of nanostructures of oxide materials ZnO, CdO and MgO have been obtained by atmospheric-pressure chemical vapor deposition methods using Au nanocolloids as catalyst. Shapes of ZnO and CdO nanorods (NRs) changed from cylinders to cones with increasing substrate temperature, so-called "tapering". It was confirmed for the ZnO NRs that the alternate source supply of Zn and H_2O is effective for suppressing the tapering behavior. The ZnO NRs were also successfully grown on sprayed (MgZn)O seed layers by the solution growth (SG) using the aqueous solution of Zn(CH_3COO)_22H_2O. It was found that the averaged diameter of the SG-ZnO NRs increased with the increase in concentration of the solution. |
キーワード(和) | 酸化物 / ナノ構造 / 大気圧化学気相堆積法 / 気相-液相-固相成長 / 溶液成長 |
キーワード(英) | Oxides / Nanostructures / Atmospheric-pressure chemical vapor deposition / VLS growth / Solution growth |
資料番号 | EMD2011-9,CPM2011-45,OME2011-23 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | CPM |
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開催期間 | 2011/6/23(から1日開催) |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | CVD法及び溶液成長法による酸化物ナノ構造の形成と形状制御(材料デバイスサマーミーティング) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Fabrication and Shape Control of Oxide Nanostructures by CVD and Solution Growth Techniques |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 酸化物 / Oxides |
キーワード(2)(和/英) | ナノ構造 / Nanostructures |
キーワード(3)(和/英) | 大気圧化学気相堆積法 / Atmospheric-pressure chemical vapor deposition |
キーワード(4)(和/英) | 気相-液相-固相成長 / VLS growth |
キーワード(5)(和/英) | 溶液成長 / Solution growth |
第 1 著者 氏名(和/英) | 寺迫 智昭 / Tomoaki TERASAKO |
第 1 著者 所属(和/英) | 愛媛大学理工学研究科電子情報工学専攻 Graduate School of Science and Engineering, Ehime University |
第 2 著者 氏名(和/英) | 藤原 哲郎 / Tetsuro FUJIWARA |
第 2 著者 所属(和/英) | 愛媛大学理工学研究科電子情報工学専攻 Graduate School of Science and Engineering, Ehime University |
第 3 著者 氏名(和/英) | 竹川 晃平 / Kohei TAKEGAWA |
第 3 著者 所属(和/英) | 愛媛大学理工学研究科電子情報工学専攻 Graduate School of Science and Engineering, Ehime University |
第 4 著者 氏名(和/英) | 白方 祥 / Sho SHIRAKATA |
第 4 著者 所属(和/英) | 愛媛大学理工学研究科電子情報工学専攻 Graduate School of Science and Engineering, Ehime University |
発表年月日 | 2011-06-30 |
資料番号 | EMD2011-9,CPM2011-45,OME2011-23 |
巻番号(vol) | vol.111 |
号番号(no) | 109 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |