| 講演名 | 2011-05-26 360W出力と65%電力付加効率を有するL帯パーシャル整合GaN FET(マイクロ波,EMC,一般) 山中 宏治, 湯之上 則弘, 茶木 伸, 中山 正敏, 平野 嘉仁, |
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| 抄録(和) | GaN HEMTはGaAsの10倍以上の出力電力密度が得られることから100W超出力のマイクロ波帯高出力増幅器として盛んに研究・開発が進められている.特に近年では基地局用増幅器への応用を目指したE級動作増幅器に注目が集まっている.E級増幅器は比較的容易に高効率動作を実現しやすいメリットがある反面,原理的に動作周波数あるいは出力電力に限界がある.本報告ではE級動作とF級動作の中間の動作級を実現することによりE級動作の限界を超えた動作周波数・出力電力を実現した.L帯パーシャル整合GaN FETの試作を行い,出力電力360W,電力付加効率65%の高出力・高効率を得た. |
| 抄録(英) | In this paper, a high power and high efficiency partially-impedance matched GaN FET operating at L-band is presented. Recently, many over 100W output power GaN HEMT amplifiers have been developed. Especially, much attention is paid for Class-E GaN HEMT amplifiers, which will be used in mobile communication infrastructure systems. In general, class-E operation mode is used for such amplifiers for its simplicity. However there is a principle limitation of operation frequency or output power for class-E operation. In this paper a new class of amplifier is developed to overcome the limitation. By realizing intermediate operation mode between class-E and class-F, 360W output power and 65% power added efficiency was successfully obtained. |
| キーワード(和) | GaN HEMT / 高電圧 / MODFET高出力増幅器 |
| キーワード(英) | GaN HEMT / High-voltage techniques / MODFET power amplifiers |
| 資料番号 | EMCJ2011-17,MW2011-14,EST2011-10 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EST |
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| 開催期間 | 2011/5/19(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electronic Simulation Technology (EST) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 360W出力と65%電力付加効率を有するL帯パーシャル整合GaN FET(マイクロ波,EMC,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | L-band Partially-impedance matched GaN FET with 360W Output Power and 65% Power Added Efficiency |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN HEMT / GaN HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | 高電圧 / High-voltage techniques |
| キーワード(3)（和/英） | MODFET高出力増幅器 / MODFET power amplifiers |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山中 宏治 / Koji YAMANAKA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)情報技術総合研究所 Mitsubishi Electric Corporation Information Technology R&D Center |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 湯之上 則弘 / Norihiro YUNOUE |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)通信機製作所 Mitsubishi Electric Corporation Communication Systems Center |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 茶木 伸 / Shin CHAKI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)高周波光素子事業統括部 Mitsubishi Electric Corporation High Frequency & Optical Semiconductor Division |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 中山 正敏 / Masatoshi NAKAYAMA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)情報技術総合研究所 Mitsubishi Electric Corporation Information Technology R&D Center |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 平野 嘉仁 / Yoshihito HIRANO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)情報技術総合研究所 Mitsubishi Electric Corporation Information Technology R&D Center |
| 発表年月日 | 2011-05-26 |
| 資料番号 | EMCJ2011-17,MW2011-14,EST2011-10 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 66 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |