講演名 | 2011-05-19 AlNテンプレートを用いた高品質AlN/GaN多層膜反射鏡の作製(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 矢木 康太, 加賀 充, 山下 浩司, 竹田 健一郎, 岩谷 素顕, 竹内 哲也, 上山 智, 赤崎 勇, 天野 浩, |
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抄録(和) | AlN/GaN多層膜は、III族窒化物半導体において大きな屈折率差が利用できる組み合わせであり、少ない層数で高反射率反射鏡の実現が期待できる。一方、AlNとGaNの格子不整合によるクラックが導入されるため、大面積にわたって高い反射率を有する多層膜反射鏡の作製が困難である。今回、従来用いられるGaNテンプレートの代わりにAlNテンプレートを用いて、クラックの原因であると考えられる引っ張り歪を抑制した多層膜反射鏡の作製を初めて行った。30ペア積層した結果、高反射率(97.5%)を達成し、かつクラックの大幅な抑制を実現することができた。 |
抄録(英) | AlN/GaN multilayer structure have relatively large refractive index differences in the group-III nitride semiconductors, which are expected to obtain high reflectivity distributed Bragg reflectors (DBRs) with a relatively small number of pairs. On the other hand, due to the cracks caused by the lattice mismatch, it is difficult to fabricate DBRs having high reflectivities in a large area. In this paper, we fabricated AlN/GaN DBRs on AlN templates for the first time in order to suppress the cracks by minimizing the tensile strain in the DBR layers. A high reflectivity of 97.5% was achieved in the 30 pair AlN/GaN DBR on AlN template. |
キーワード(和) | 多層膜反射鏡 / DBR / クラック / AlN / 反射率 |
キーワード(英) | Distributed Bragg Reflector / crack / AlN / Reflectance |
資料番号 | ED2011-18,CPM2011-25,SDM2011-31 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | ED |
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開催期間 | 2011/5/12(から1日開催) |
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幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | AlNテンプレートを用いた高品質AlN/GaN多層膜反射鏡の作製(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | High-quality AlN/GaN distributed Bragg reflectors grown on AlN templates |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 多層膜反射鏡 / Distributed Bragg Reflector |
キーワード(2)(和/英) | DBR / crack |
キーワード(3)(和/英) | クラック / AlN |
キーワード(4)(和/英) | AlN / Reflectance |
キーワード(5)(和/英) | 反射率 |
第 1 著者 氏名(和/英) | 矢木 康太 / Kouta YAGI |
第 1 著者 所属(和/英) | 名城大学大学院理工学研究科 Fac. Sci. & Eng., Meijo University |
第 2 著者 氏名(和/英) | 加賀 充 / Mitsuru KAGA |
第 2 著者 所属(和/英) | 名城大学大学院理工学研究科 Fac. Sci. & Eng., Meijo University |
第 3 著者 氏名(和/英) | 山下 浩司 / Kouji YAMASHITA |
第 3 著者 所属(和/英) | 名城大学大学院理工学研究科 Fac. Sci. & Eng., Meijo University |
第 4 著者 氏名(和/英) | 竹田 健一郎 / Kenichirou TAKEDA |
第 4 著者 所属(和/英) | 名城大学大学院理工学研究科 Fac. Sci. & Eng., Meijo University |
第 5 著者 氏名(和/英) | 岩谷 素顕 / Motoaki IWAYA |
第 5 著者 所属(和/英) | 名城大学大学院理工学研究科 Fac. Sci. & Eng., Meijo University |
第 6 著者 氏名(和/英) | 竹内 哲也 / Tetsuya TAKEUCHI |
第 6 著者 所属(和/英) | 名城大学大学院理工学研究科 Fac. Sci. & Eng., Meijo University |
第 7 著者 氏名(和/英) | 上山 智 / Satoshi KAMIYAMA |
第 7 著者 所属(和/英) | 名城大学大学院理工学研究科 Fac. Sci. & Eng., Meijo University |
第 8 著者 氏名(和/英) | 赤崎 勇 / Isamu AKASAKI |
第 8 著者 所属(和/英) | 名城大学大学院理工学研究科:名古屋大学赤崎記念研究センター Fac. Sci. & Eng., Meijo University:Akasaki Research Center, Nagoya University |
第 9 著者 氏名(和/英) | 天野 浩 / Hiroshi AMANO |
第 9 著者 所属(和/英) | 名古屋大学工学研究科:名古屋大学赤崎記念研究センター Grad. Sch. of Eng., Nagoya University:Akasaki Research Center, Nagoya University |
発表年月日 | 2011-05-19 |
資料番号 | ED2011-18,CPM2011-25,SDM2011-31 |
巻番号(vol) | vol.111 |
号番号(no) | 44 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 5 |
発行日 |